在芯片设计和制造中,RDL(Redistribution Layer,重分布层) 是指通过在芯片上增加金属布线层来重新分布芯片的信号连接。RDL主要用于将芯片内部的信号引出到所需的位置,以便于后续封装或连接其他电路。
信号重分布:
芯片内部的输入输出(I/O)通常位于芯片的边缘,但在某些封装方式(如BGA或CSP)中,需要将这些信号重新布线到芯片的特定位置,便于外部引脚连接。
实现多点连接:
提供灵活的布线方案,使得信号可以从芯片的任何区域引出到封装的目标区域。
支持高级封装技术:
如倒装芯片(Flip Chip)和晶圆级封装(WLP),RDL 是实现这些技术的关键。
RDL 通常由以下部分组成:
绝缘层:例如聚酰亚胺(Polyimide)或其他介电材料,作为RDL的基础层,用于隔离下层电路。
金属布线:常用材料为铜(Cu)或铝(Al),用于将信号从一个点引导到另一个点。
顶层保护层:用于保护RDL布线,防止环境影响或机械损伤
倒装芯片封装(Flip Chip):RDL 将芯片的I/O信号从外围重分布到中央,以便与封装基板上的焊球对齐。
晶圆级封装(WLP):在晶圆级封装中,RDL用于将芯片的信号重新布线到适合外部连接的位置。
多芯片集成(SiP):在系统级封装(System-in-Package)中,RDL有助于在多芯片模块中实现信号互连。
RDL 的制造过程通常包括以下步骤:
绝缘层沉积:在芯片表面涂覆一层介电材料。
光刻:定义布线的图形。
金属沉积:通过电镀或溅射的方法在绝缘层上沉积金属材料。
刻蚀:移除多余的金属,形成布线图案。
表面处理:为后续焊接做好准备,例如添加焊盘或焊球。
提高芯片的I/O灵活性。
支持小型化和高密度封装。
降低芯片与封装基板之间的连接损耗。
工艺复杂度较高,增加了制造成本。
布线密度和可靠性需与先进制程相匹配。
RDL 是现代芯片封装技术中的关键部分,广泛应用于高性能、紧凑型和多功能芯片封装中。随着先进封装技术的发展(如3D IC和异构集成),RDL的重要性和复杂性也在不断增加。
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