晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：

• 厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；

• 厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；

• 厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂；

在晶圆切割过程中，事先会在晶圆上贴敷胶膜，以便保证更安全的“切单”，其主要作用有下面几个方面。

在划片操作时，需要对晶圆进行精确切割。晶圆通常很薄且脆，UV 胶带能将晶圆牢固地粘贴在框架或载片台上，防止晶圆在切割过程中发生位移、晃动，确保切割的精度和准确性。

它可以为晶圆提供良好的物理保护，避免切割过程中可能出现的外力冲击、摩擦等对晶圆造成损伤，如产生裂纹、崩边等缺陷，保护晶圆表面的芯片结构及电路完好。

便于切割操作

UV 胶带具有合适的弹性和柔韧性，在切割刀片切入时能够适度变形，使切割过程更加顺畅，减少切割阻力对刀片和晶圆的不良影响，有助于提高切割质量和刀片的使用寿命。

其表面特性能够使切割产生的碎屑较好地附着在胶带上，而不会四处飞溅，便于后续对切割区域的清理，保持工作环境相对清洁，也避免了碎屑对晶圆及其他设备造成污染或干扰。

易于后续处理