气体圈子讯：据媒体报道，SK海力士已完成375层3D NAND 闪存的生产验证工作，眼下正推进产线落地。按照SK海力士的技术路线，未来还将持续迭代，依次推出480层、604层产品。

本次主要是对清州M15工厂现有产线（目前主要生产176层、238层、321层等中低层数NAND产品）进行改造升级，改造后将全面切换为375层产品生产线，该产品计划在今年年底前正式量产。

随着存储工艺朝着更高阶演进，其内部材料也发生了更迭。此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼前驱体材料替代六氟化钨制作字线。

钼被认为是一种能够弥补钨局限性的材料。随着层数的增加，布线会变得更细；然而，钨线变细的同时，其电阻也会增大，从而降低信号传输速度。

在微型化的字线结构中，钼的电阻可以低于钨，从而实现更快的信号传输。这意味着可以提高数据的写入和擦除速度。尤其值得注意的是，钨需要在填充前铺设一层阻挡辅助层。由于这层辅助层需要铺设在每一层上，因此会造成厚度损失。而钼无需辅助层即可直接填充，从而可以提高密度。 

供应链方面，液化空气集团、英特格和默克公司将向SK海力士供应钼前驱体材料。在韩国企业中，SK Specialty也被提及为潜在供应商，双方正在商讨SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来供应钼前驱体材料的方案。SK海力士也积极推动两家公司之间的合作。

从行业层面来看，三星电子已率先落地钼前驱体材料工艺。该公司自2024年4月起量产286层第九代3D NAND，就已将钼应用在金属布线环节；其规划中的第十代400层以上3D NAND，也定于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。

行业测算数据显示，三星去年钼前驱体材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，后续需求还将逐年走高，预计2030年将达到80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼前驱体工艺，初期年采购量也将达到4吨左右。