台积电方面明确表示，其海外工厂若要涉足2nm芯片的生产，仍需数年时间的筹备与规划，确保全球领先的工艺技术继续保留在本土。

具体到台积电在美国亚利桑那州的布局，首座晶圆厂正稳步推进，预计将于2025年初正式投产，率先应用4nm制程技术，月产能预计达到2万至3万片，标志着台积电海外先进制程生产的里程碑。

紧接着，第二座晶圆厂将采用3nm制程，规划月产能为2.5万片，预计两厂到2028年合计月产能将攀升至6万片。至于第三座晶圆厂，更是瞄准了2nm或更先进的技术节点，计划在2030年前完成建设。这一系列布局不仅彰显了台积电在全球半导体产业的领导地位，也为其长远发展奠定了坚实基础。

另据报道，台积电在亚利桑那厂凤凰城投资的芯片厂Fab21厂，传出12月6号将举行开幕式，刚当选美国总统的特朗普及现任总统拜登都会出席。

这座美国新厂的开幕式势必冠盖云集，凸显台积电在芯片产业与地缘政治的重要性。业界盛传，典礼日期12月6日除前述两位总统传出是贵宾，台积电创办人张忠谋，董事长魏哲家、财务长黄仁昭、美国亚利桑那州州长郝恺悌都将出席。业界盛传原本想集资盖晶圆厂的OpenAI执行长阿特曼也是嘉宾名单。

行业分析人指出，全球发展AI芯片几乎都靠台积电生产，但美国已经另辟蹊径，主导掌握AI发展核心技术，要以AI优化半导体制程技术，会成为全球半导体产业领头羊。未来绝对会将这些关键技术及制造全留在美国，避免外流，美国也须依赖台积电，才能实现以AI技术主导半导体制造新世代。在这样架构下，可以预料未来美国很可能要求台积电提前将2nm以下先进制程带到美国，甚至在美国成立研发中心。