当一个硼原子占据了硅原子的位置，由于磷原子有三个价电子，当它与周围四个硅原子形成共价键时，还缺少一个价电子，必须从别处的硅原子中夺取一个价电子。于是，在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。同时，硼原子接受一个电子后成为带负电的硼离子(B-)，称为负电中心。所以硼原子替代硅原子后，其效果是形成一个负电中心B-和一个空穴。

带负电的硼离子和带正电的空穴之间有静电引力作用，所以这个空穴受到硼离子的束缚，在硼离子附近运动。不过，这种束缚是很弱的，只需很少的能量就可以使空穴挣脱束缚成为在晶体的共价键中自由运动的导电空穴。而硼原子成为多一个价电子的硼离子， 是一个不可移动的负电中心。 

因为III族杂质在硅中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态。电离后成为负电中心，称为受主离化态。

在纯净的半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。通常把主要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。

总之，根据对导电性的影响，半导体中的杂质又可分为两种类型。当杂质能级能提供电子时（施主杂质），半导体主要靠杂质电离后提供的电子导电， 这种半导体称为n型半导体；另一种杂质可以提供禁带中空的能级（受主杂质），因而价带中有些电子可以激发到受主能级上而在价带中产生大量空穴，这种半导体称为p型半导体，其主要靠空穴导电。