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不靠谱的关税战打完第一回合，当前对于从美国进口到中国的半导体芯片商品，依照我国规定的84%（后续125%）税率于4/10开始执行，半导体芯片如何认定是美国原产地，今天半导体协会认定的标准是“晶圆流片工厂”所在地，小编姑且借此作为参考，看看对各家的影响。
照例先看存储行业：
美光：
美国：总部位于爱达荷州博伊西市，这里有其芯片研发和生产的相关设施，纽约州克莱建有超级晶圆厂。
新加坡：有NAND芯片生产工厂。
日本：广岛工厂有DRAM生产线。
中国：美光在西安的工厂主要是封装和测试工厂，并非严格意义上的晶圆厂，用于制造移动 DRAM、NAND 及 SSD 产品，以强化西安工厂现有的封装和测试能力。
铠侠：
日本：在日本有多个工厂生产NAND芯片，与闪迪合资的工厂位于日本四日市和岩手县北上市。
闪迪：
闪迪与铠侠合资共建NAND Flash工厂，生产基地位于日本的四日市和岩手县北上市。
三星：
韩国：三星在韩国平泽建有多个工厂，如P1、P2、P3等，P4工厂预计于2025年年底完工，2026年投产，且确定P4第一条生产线将同时量产NAND和DRAM，P5工厂也在建设中。
中国：三星（中国）半导体有限公司位于陕西省西安市高新区综合保税区，拥有半导体芯片制造及封装测试生产线，生产3D V-NAND存储芯片。
海力士：
韩国：总部位于韩国京畿道利川市，利川市是其核心生产基地，主要生产DRAM和NANDFlash，清州市也有生产基地。
中国：无锡工厂主要生产DRAM产品，是SK海力士在海外最大的制造工厂。大连工厂（原英特尔NAND生产基地，现归SK海力士所有，Solidigm思得公司）主要生产NAND Flash。
长存：
中国：武汉工厂主要生产NAND产品。
长鑫：
中国：合肥工厂主要生产DRAM产品。
非存储芯片在美国设置晶圆厂的厂商：
格罗方德（Global Foundries）：是一家总部位于美国加州硅谷桑尼维尔市的半导体晶圆代工厂商。在纽约马耳他、佛蒙特州伯灵顿和纽约东菲什基尔设有制造工厂。
英特尔（Intel）：英特尔在全球10个地点拥有15处正常运营的晶圆制造厂，分别在爱尔兰、以色列和美国。其中美国的制造工厂位于亚利桑那州钱德勒、新墨西哥州里约兰乔、俄勒冈州希尔斯伯勒。另外，英特尔还计划在美国亚利桑那州的Octillo园区投资约200亿美元，新建两座晶圆厂。
台积电（TSMC）：台积电投资650亿美元在亚利桑那州建设三座晶圆厂，包括一期的4nm晶圆厂，目前已经开始量产；二期的3nm晶圆厂，原定于2026年开始量产，推迟到2028年；三期晶圆厂将生产2nm以上先进的制程技术，预计将在2029至2030年间量产。
博通（Broadcom）：工厂位于科罗拉多州柯林斯堡，开放时间为1981年，晶圆尺寸150毫米。
Microchip：在美国有多个工厂，如科罗拉多州科罗拉多斯普林市工厂，开放时间为1994年，晶圆尺寸150毫米；俄勒冈州格雷西姆工厂，开放时间为2003年，晶圆尺寸200毫米。
安森美（ON Semiconductor）：在爱达荷州首府博伊西、俄勒冈州格雷西姆都有工厂，博伊西工厂开放时间为1997年，晶圆尺寸200毫米；格雷西姆工厂开放时间为1998年，晶圆尺寸200毫米。
Qorvo：工厂位于俄勒冈州希尔斯伯勒、俄勒冈州本德、加利福尼亚州理查森等地，晶圆尺寸涵盖100毫米、150毫米等。
ADI：在华盛顿州卡马斯、加利福尼亚州罗斯维尔有工厂，卡马斯工厂开放时间为1997年，晶圆尺寸150毫米；罗斯维尔工厂开放时间为2001年，晶圆尺寸150毫米。
NXP：在美国拥有并经营三家晶圆制造厂，其中两家位于得克萨斯州奥斯汀，一家位于亚利桑那州钱德勒。
TI（德州仪器）：工厂位于得克萨斯州谢尔曼、达拉斯、理查森等地，晶圆尺寸涵盖150毫米、200毫米、300毫米。
TowerJazz：在加利福尼亚州纽波特海滩、圣安东尼奥有工厂，开放时间分别为1995年、1989年，晶圆尺寸均为200毫米。
Wolfspeed：投资50亿美元在北卡罗来纳州中部建设碳化硅晶圆厂。
Skyworks：在美国有晶圆制造相关业务，工厂位置包括加利福尼亚州等地区，主要生产射频前端等相关芯片产品。
X-FAB：在美国有工厂，例如位于得克萨斯州的工厂，主要专注于模拟和混合信号芯片的制造，提供从晶圆制造到封装测试的一站式服务。
Skorpios：其在美国的工厂主要生产光通信相关的芯片产品，为数据中心、电信等领域提供高速光模块芯片解决方案。
