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参考硬件中电子元件的制程，基本结构都是把 MOS 管，三极管，电阻，电容，电感，电池等各种电子元器件固定在 PCB 板上。类比，在一片 wafer 上制作 MOS 管时也是类似这种顺序，需要一步一步制造。
对于 logic device，简单地说，首先是在 Silicon 衬底上划分制备晶体管的区域 (active area)，然后是离子注入实现N型和P型区域，其次是做栅极，随后又是implant，完成每一个晶体管的源极 (source) 和漏极 (drain)。这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，这一过程称为晶圆加工的前端工艺 (FEOL，Front End Of the Line)。
当然，对于这么小的 MOS 管，无法使用直接焊接的方式，而是需要采用与FEOL相似的技术，通过金属布线在多达数十亿个 MOS 管之间形成连接。这一过程我们称之为晶圆加工的后端工艺(BEOL，Back End Of the Line)。目前大多选用 Cu 作为导电金属，因此后道又被称为 Cu 互联(interconnect)。
一般来说，半导体制造的八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。但需要注意的是，晶圆制造通常不在半导体制造工厂内完成，而金属布线、封装和测试是对特定作业流程的统称，与光刻、刻蚀、沉积等单一步骤的工艺不同。
从上图可以看出，半导体的制程是自下而上的，就像盖房子。为了不同的材料变成我们想要的样子，需要经过多道处理工艺，如不需要的部分 ETCH，需要的部分留下。在这一过程中，还会使用各种反应性很强的化学物质，如果化学物质接触到不应接触的部分，就会影响到半导体制造的顺利进行。而且，半导体内还有一些物质，一旦相互接触就会产生短路。氧化工艺的目的，就是通过生成隔离膜防止短路的发生。
氧化工艺就是在 Silicon 上生成一层保护膜。硅（Si）和氧气反应就会形成二氧化硅（SiO₂）,通俗来说也就是玻璃。玻璃在我们生活中随处可见，其具有很高的化学稳定性，比如用作各种饮料甚至盐酸、硫酸等各种化学药品的容器。
SiO2材料的主要特点有：
具有高熔点和高沸点（分别为1713 º C和2950º C）
不溶于水和部分酸，溶于氢氟酸
具有良好的绝缘性、保护性和化学稳定性
在半导体制作过程中，通过氧化工艺形成的氧化膜也同样具有稳定性。它可以防止其他物质的穿透，因此在离子注入工艺中非常实用。
氧化膜还可以用于阻止电路间电流（电子）的流动。MOSFET结构的核心就是栅极（Gate）。MOSFET与BJT晶体管不同，栅极不与沟道（S与D的中间部分）直接接触，只是“间接”发挥作用。这也是MOSFET不工作时，功耗低的原因。MOSFET通过氧化膜隔绝栅极与电流沟道，这种氧化膜被称为栅氧化层（Gate Oxide）。
氧化工艺的种类
氧化工艺可分为以下三大类：
干法氧化（Dry Oxidation）
湿法氧化（Wet Oxidation）
自由基氧化（Radical Oxidation）
干法氧化：
干法氧化是通过将硅晶圆暴露在高温纯氧（O₂）环境中，使硅与氧气直接反应生成二氧化硅（SiO₂）。
方程式：Si + O2 → SiO2
特点：
氧化膜生长速度较慢：由于氧分子比水分子重，扩散速度较慢，因此氧化膜的生长速度较慢。
氧化膜均匀性和密度较高：干法氧化生成的氧化膜均匀性好，密度高，适合用于需要高质量氧化膜的场合，如栅极氧化层的制备。
无副产物：干法氧化不会产生副产物，如H2。
湿法氧化：
湿法氧化是通过将硅晶圆暴露在高温水蒸气（H₂O）环境中，使硅与水蒸气反应生成二氧化硅（SiO₂）。
方程式：Si + 2H2O → SiO2 + 2H2
特点：
氧化膜生长速度快：水蒸气的反应活性比纯氧高，因此氧化膜的生长速度较快，类似于"生锈"。
氧化膜均匀性和密度较低：湿法氧化生成的氧化膜均匀性和密度较低，且会产生如 H2 等副产物。
适合快速氧化需求：由于生长速度快，湿法氧化适合用于需要快速生成氧化膜的场合。
湿法氧化常用于需要快速生成氧化膜的场合，但因其均匀性和密度较低，通常不用于核心工艺。
自由基氧化：
自由基氧化是通过将硅晶圆暴露在高温条件下，将氧原子和氢分子混合形成化学活性极强的自由基气体，然后使自由基气体与硅晶圆反应生成二氧化硅（SiO₂）。自由基氧化的化学反应活性极高，能够更均匀地生成氧化膜。
特点：
氧化膜均匀性高：自由基氧化能够在立体结构上生成厚度均匀的氧化膜，特别适合三维结构的氧化处理。
反应完全：由于自由基的化学活性极高，自由基氧化几乎不会产生不完全反应，生成的氧化膜质量更高。
适合复杂结构：自由基氧化能够在难以形成氧化膜的区域（如圆化顶角）和反应活性较弱的材料（如氮化硅）上生成均匀的氧化膜。
自由基氧化常用于需要高均匀性和高质量氧化膜的复杂结构中，此外，自由基氧化还可以生成在立体结构/三维结构上厚度均匀的氧化膜。
总结
干法氧化：适合生成高质量、高均匀性的氧化膜，常用于栅极氧化层。
湿法氧化：适合快速生成氧化膜，但均匀性和密度较低。
自由基氧化：适合生成高均匀性、高质量的氧化膜，特别适用于复杂结构和三维工艺
