在芯片制造过程中，晶圆上需要经过多次光刻（Photolithography），每一层的图案必须精准对准前一层。

如果某一层的图案未能正确叠对到上一层，就会出现 Overlay 误差，导致短路、开路或性能下降。

现代先进制程（如 5nm、3nm）对 Overlay 误差的要求极其严格，通常控制在 亚纳米级别（sub-nm level）。

光刻对准误差（Alignment Error）：曝光时，光刻机需要对准前一层的对准标记（Alignment Mark），但由于光学系统的误差，可能导致轻微偏移。

光刻步进误差（Scanner Distortion）：光刻机的投影系统在晶圆不同区域可能产生轻微的几何变形，导致 Overlay 误差。

薄膜沉积应力（Film Stress）：沉积 SiO₂、Si₃N₄ 或金属层时，材料的应力可能导致晶圆局部变形，影响图案对准。

蚀刻与刻蚀回缩（Etch Bias）：蚀刻后材料可能有不均匀的缩小，导致下一层对准困难。

热处理引起的晶圆形变（Thermal Expansion & Warpage）：高温工艺（如氧化、退火）可能导致晶圆膨胀或翘曲，使得后续光刻层出现错位。

晶圆台（Wafer Stage）误差：晶圆在光刻机的载台（Stage）上移动时，可能存在纳米级别的机械误差。

晶圆装载误差（Wafer Handling Error）：晶圆在传输过程中可能发生微小位移，影响对准精度。

OCD（Optical Critical Dimension）：利用光学显微镜检测 Overlay 误差，速度快，适用于大批量检测。

AFM（Atomic Force Microscopy，原子力显微镜）：可提供纳米级精度，但测量速度较慢。

CD-SEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscopy）：利用扫描电子显微镜测量 Overlay 误差，适用于小特征尺寸的检测。

E-Beam Inspection（电子束检查）：适用于 3nm 以下制程，能够检测极小的偏移量。

X-ray Diffraction（XRD）：利用 X 射线衍射测量晶圆内部应力及图案偏移情况，适用于先进封装（Advanced Packaging）工艺。

Scanner Correction（步进投影校正）：调整光刻机的光学系统，使其投影精度更高。

Advanced Alignment Algorithms（高级对准算法）：使用 AI 算法优化光刻对准精度。

Warp Compensation（翘曲补偿）：在光刻前测量晶圆形变，并动态调整曝光参数。

Advanced Lithography Techniques（先进光刻技术）：如 EUV（极紫外光刻）可提高 Overlay 精度。

CMP（化学机械抛光）优化：提高表面平坦度，减少光刻层对准误差。

Etch & Deposition Control（蚀刻与沉积优化）：控制应力，减少后续层的变形。

栅极错位（Gate Misalignment）：影响阈值电压（Vth），导致晶体管泄漏电流增加。

金属互连层错位（Interconnect Misalignment）：增加寄生电容和电阻，降低信号速度。

存储单元错位（Cell Misalignment）：影响数据存储密度，导致可靠性下降。

3D NAND 层间错位（Layer-to-Layer Alignment Issue）：影响存储单元访问速度。