晶圆解键合是先进封装和薄晶圆背面加工中的关键工艺,主要有以下几种方式:
1. 热解键合
利用加热使临时键合胶软化或分解,从而分离晶圆与载板。
热滑移解键合:加热至键合胶的玻璃化转变温度(Tg)以上,胶层软化后通过施加剪切力使晶圆滑移分离。
热分解解键合:加热至更高温度(通常 >250°C),使胶层发生化学分解(断链),失去粘性后晶圆自然脱离。
特点:工艺成熟,成本较低;但对温度敏感的材料可能产生热应力或损伤。
通过激光照射键合胶层(通常为对特定波长敏感的临时键合胶),使胶层瞬间分解或失去粘性,实现分离。
原理:激光透过载板(如玻璃)被胶层吸收,产生气化或化学反应,形成分离界面。
特点:
低温或常温分离,避免热应力。
局部精准作用,对器件影响小。
速度快,适合量产。
关键要求:载板需对激光透明(如玻璃),胶层需具备高激光吸收率。
将键合后的晶圆浸入特定溶剂(或化学溶液),使键合胶溶胀、溶解或断键,从而实现分离。
原理:溶剂渗透至胶层,破坏其化学结构或分子链,粘性丧失后两片晶圆自然分离。
特点:
几乎无机械应力与热应力。
适合对温度敏感或易碎的器件。
挑战:需选择兼容的溶剂,避免损伤器件;环保与废液处理要求高。
通过纯粹的机械力(如剥离、撕拉)将晶圆从载板上分离。
原理:像“撕胶带”一样,通过插入薄片、施加拉力或弯曲载板,使键合胶层发生界面剥离。
特点:
无需加热或化学试剂,设备简单。
容易产生机械应力,可能导致薄晶圆破裂或损伤。
通常用于胶层强度较低或对分离力要求不高的场景。
1.薄晶圆加工需求:器件晶圆需减薄至 30–100 μm(如纸般柔软),无法独立进行背面工艺(如研磨、刻蚀、镀金属)。
2.载体支撑作用:临时键合到刚性载板(如玻璃、硅)上,提供机械支撑,便于后续加工。
3.工艺完成后分离:背面制程结束,通过解键合将薄晶圆安全剥离,进行后续封装或测试。
材料兼容性:器件、胶层、载板的耐温性、透光性、耐化学性。
工艺应力:热应力、机械应力是否会影响器件性能。
生产效率与成本:产量要求、设备投资、工艺复杂度。
洁净度与环保:化学废液处理、颗粒污染控制。
| 热解键合 | |||
| 激光解键合 | |||
| 化学解键合 | |||
| 机械解键合 |
实际生产中常根据工艺需求组合多种方式(如“激光+机械”),以实现高效、无损的晶圆分离。