在半导体制造中，Sputter是物理气相沉积最主流的实现方式。前道晶圆制造用它做阻挡层、种子层和金属栅；而在封装环节，Sputter的角色同样关键，但面对的挑战截然不同。封装 Sputter的核心任务是在有机基板、模塑树脂、玻璃、陶瓷或硅转接板等非理想表面上，沉积出连续、致密、附着良好的金属薄膜。这些薄膜通常承担三类功能：1）Seed Layer：为后续电镀铜提供导电基底。2）UBM：连接芯片焊盘与焊球，兼顾扩散阻挡和润湿。与晶圆厂相比，封装Sputter的基板更粗糙、更厚、面积更大，且常伴随有机物放气、热膨胀失配和翘曲问题。这决定了封装Sputter不能照搬前道工艺，而需要独立优化。溅射的本质是动量传递。真空腔中通入 Ar，加电场形成等离子体：Ar+ 被加速轰击靶材，把靶材原子打出来。这些原子飞向基板，凝结、成核、生长成薄膜。与蒸发不同，溅射原子带有一定动能，因此膜层更致密、附着力更好。封装中最常用的是磁控溅射：靶背加磁场约束电子，提高离化率，实现高速率、低基板温度沉积。根据靶材和需求，还可选用 DC、RF、脉冲、反应溅射或 HiPIMS。有机基板（ABF、PI）和模塑树脂表面能低、化学惰性，溅射金属容易剥离。传统湿法去钻污效果有限，且残留物影响界面。TGV、TSV 和微凸块结构中，常规溅射方向性强，孔口易形成悬垂，孔底覆盖薄甚至断开。沉积 TiN、TaN 等化合物时，N₂ 过量会导致靶面形成绝缘层，沉积速率骤降、打火增多。封装基板面积大、厚度薄，溅射膜层应力叠加后容易导致翘曲，影响后续光刻和贴装。模塑树脂放气、腔壁剥落、靶材利用率低，都会推高成本并引入缺陷。
