光刻设备主要分为三个环节，涂胶设备、光刻设备、显影设备。

我们先来看看光刻设备的部分：

目的是什么？

通过使用光源等光学系统来将电路图案转移到硅片上的过程。

都有哪些工艺类型？

一般分为有掩模（接触式、接近式、投影式）光刻和无掩模（电子束直写、离子束直写、激光直写）的光刻。

分别有哪些特点？

有掩模的光刻机是量产的选择。其中，接触式和接近式由于和衬底接触，PD难以控制，主要用在300nm工艺以上的fab制造和现在火热的先进封装上；投影式是通过光学投影成像系统，将中间掩膜版图形按照所需要的倍率缩小，通过缩小透镜在涂有光刻胶的衬底表面曝光成像。是目前集成电路fab主流。

无掩模的光刻机是比较灵活可定制，但效率低，多用于实验室或mask制作。电子束精度可达2nm，离子束精度可达5nm，激光精度可达100nm。

半导体fab主流用哪个？

投影式光刻机—步进扫描式光刻机。

光刻机按照光源分？

干式光刻机：使用可见光、紫外线等光源，例如i-line（365 nm）、KrF（248 nm）、ArF（193 nm）光源，工艺节点是180nm-28nm。

浸没式光刻机：在干式光刻技术的基础上发展而来，通过在物镜与晶圆之间填充高折射率液体（如水）来缩短实际曝光波长，从而提升分辨率，主要用于ArFi（193/134nm）光刻机，工艺节点在10nm左右。

极紫外光（EUV）光刻机：采用13.5nm的极紫外光源，代表了光刻技术的前沿，能够实现7-2nm及以下工艺节点的芯片制造，目前全球只有ASML有。这个也是我们现在卡脖子的卡点。

主要玩家有哪些？

国外：ASML、NIKON、CANON等；

国内：SHW、XKL等。

国内外其他玩家也有很多了，就不赘述了。