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台积电将用旧款光刻机实现1.6纳米,给中国芯研发先进工艺启发
2024年05月18日 13:33   浏览:136   来源:小萍子

台积电已公布了A16(相当于1.6纳米)工艺,预计在2026年实现量产,外媒指出该项工艺很可能会继续采用现有的第一代EUV光刻机实现,原因可能是2纳米EUV光刻机实在太贵了。


ASML今年量产的2纳米EUV光刻机几乎已被Intel抢购一空,业界曾以为三星和台积电会争抢ASML明年的2纳米EUV光刻机,然而外媒指出台积电似乎气定神闲,并未有抢购2纳米EUV光刻机的计划。

这已不是台积电第一次依靠原有的设备生产先进工艺了,此前的7纳米业界就曾认为需要EUV光刻机才能量产,然而台积电却采用DUV光刻机开发了第一代7纳米工艺。

台积电当时坚持采用原有的DUV光刻机开发7纳米工艺,在于EUV光刻机过于昂贵,而且新一代光刻机的出现,往往需要芯片工具、芯片材料等的配合,这就可能导致研发先进工艺面临风险。


相比台积电,三星激进地采用EUV光刻机开发7纳米工艺,三星也如台积电预期的那样遇到了问题,三星的7纳米EUV工艺存在良率过低的问题,诸多芯片企业大多选择了成本更低的台积电7纳米工艺。

不过先进光刻机对于提升芯片性能确实有好处,台积电第二代7纳米工艺就采用了EUV光刻机,性能提升两成以上,证明了先进的EUV光刻机确实有巨大的作用。

相比起第一代EUV光刻机,如今的2纳米EUV光刻机更为昂贵,第一代EUV光刻机的价格大约为1.2亿美元,2纳米EUV光刻机则高达3.8亿美元,昂贵的价格促使台积电计划继续采用原有的EUV光刻机A16工艺。


台积电采用原有的设备开发7纳米工艺和1.6纳米工艺,对中国芯片来说无疑是巨大的启发,意味着中国芯片有可能依靠现有的DUV光刻机开发7纳米、5纳米工艺,这对于当下难以获得EUV光刻机的中国芯片来说意义重大。

事实上目前消息都认为中国芯片行业应该已依靠现有的DUV光刻机实现了接近7纳米工艺的,某国产手机企业的5G芯片应该就已接近7纳米工艺,依靠DUV光刻机进一步开发5纳米工艺有一定的可行性。

早前业界传出国内芯片企业研发成功四重曝光技术,可能并非虚言,依靠这种技术可以进一步挖掘DUV光刻机的潜力,进而实现5纳米工艺。对此浸润式DUV光刻机的奠基人林本坚(台积电前技术负责人)就给出了肯定的答案,他认为DUV光刻机仍有潜力可挖,当然采用DUV光刻机开发5纳米工艺的弊端就是成本偏高。


台积电一再挖掘旧款光刻机的潜力,体现了台积电在芯片技术方面的深厚积累,说明先进工艺未必一定需要最先进的设备来实现,这鼓舞了中国芯片加强技术研发以利用现有的DUV光刻机开发先进工艺的信心,台积电前资深技术负责人之一的梁孟松如今正在中芯国际担任联席CEO,有如此渊源,相信中国芯片开发更先进的工艺有更大的希望。


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