在芯片从晶圆到封装体的 “变身” 过程中,减划工序是承上启下的关键环节 —— 既要给晶圆 “瘦身” 减薄,又要精准 “分家” 划片,每一步都直接影响芯片良率和后续封装效率。今天就拆解这份培训材料,用通俗的语言带你看懂晶圆减划的完整流程和核心要点!
一、先搞懂:什么是晶圆减划?为啥要做?
1. 核心定义
减薄:通过研磨工艺把厚晶圆变薄,适配后续封装的轻薄化需求;
划片:将整片晶圆分割成独立芯片(Die),方便后续拾取封装。
2. 关键目的
减薄:降低芯片厚度,满足手机、手表等便携设备的轻薄化要求,同时提升散热性能;
划片:将连在一起的芯片分离,为封装环节做准备,确保单个芯片可独立工作。
二、完整流程:6 步搞定晶圆减划,每步都有 “关键点”
1. 第一步:贴膜(Taping)—— 给晶圆穿 “保护衣”
作用:保护晶圆表面电路,防止减薄、划片时产生损伤和污染;
材料:UV 膜(后续可通过紫外线降低粘度)或普通蓝膜;
设备:全自动贴膜机(如 NEL RAD-3510)或手动贴膜机;
质量检验:全检外观,重点排查贴反、气泡等问题。
2. 第二步:减薄(Grinding)—— 给晶圆 “瘦身”
过程:通过旋转研磨 + 抛光 + 清洗,逐步减小晶圆厚度;
设备:DISCO DGP8761+DFM2800 一体机、中电科国产减薄设备等;
质量检验:
减薄厚度:每批抽 3 片,每片 5 个芯片,每个芯片测 2 个点;
粗糙度 / 平整度:试制阶段重点检测;
外观:全检背面,排查划痕、残留等缺陷。
3. 第三步:换膜 —— 换 “专属工作服” 准备划片
过程:撕掉减薄时的磨片膜,贴上划片专用膜(UV 膜 / 蓝膜),并固定在框架上;
关键:确保新膜贴附平整,无气泡,避免划片时芯片移位。
4. 第四步:划片(Die Saw)—— 给晶圆 “精准分家”
方式:两种主流技术,各有侧重:
过程:先横向切割,再纵向切割,将晶圆分成独立芯片;
质量检验:首片必检,每 4 片抽检,重点看崩齿、刀痕偏移、碎屑、漏切等问题。
5. 第五步:UV 照射 —— 让芯片 “轻松脱膜”
作用:通过 UV 灯照射降低 UV 膜粘度,方便后续封装时快速拾取芯片;
设备:UV 光设备(如 RAD-2000)。
完整流程:
三、关键设备与质量控制:良率的 “守护神”
1. 核心设备
减薄设备:DISCO、TSK、中电科等品牌,自动化程度高,减薄精度可达微米级;
划片设备:刀片切割选 DISCO,激光切割选国产中电科,适配不同精度需求;
辅助设备:贴膜机、UV 照射机、厚度测量仪等。
2. 质量控制要点
减薄阶段:重点把控厚度均匀性、背面粗糙度,避免出现 “薄厚不一”;
划片阶段:严控刀痕宽度、偏移量,防止崩齿和漏切;
全流程:每道工序都要做外观检验,及时排查气泡、划痕、污染等缺陷。
互动时间
晶圆减划是芯片封装前的 “关键把关”,你觉得哪一步最容易出问题?是贴膜气泡、减薄厚度不均,还是划片崩齿?评论区聊聊你的看法~