大家好，今天由我来给和大家进行分享，我分享的内容是静电防护的基础知识。

今天互动的内容主要包含这几个方面：静电放电的定义和特点、静电放电的认识、静电的产生、静电的来源、静电放电的模型、静电放电失效模式以及防静电材料划分。

首先，什么是电子元器件？组成电子线路的最小单元，我们就叫电子元器件。那么电子元器件有哪些种类呢？

这是按图片上的，我们可以分为元件跟器件两大类，那么元件类：电阻、电感、电容、器件类、MOS、双极器件和IC等等。

那么电子元器件为什么要防止静电放电的损伤呢？ 

首先静电放电引发了电子元器件的失效，给了我们历史的教训案例，我来举几个案例：

案例一：1967年1月27日，美国第一个阿波罗载人宇宙飞船进行的一次例行地面测试中，指令舱发生了大火，使三名宇航员丧生。

其后阿波罗204调查委员会确定是一条布置在指令舱驾驶员座位下连接环境控制单元的绝缘电线保护层剥离，与其相关的掩门发生了重复的摩擦，产生静电放电而引发火灾。

接下来的案例也是在美国的：1964年在塔尔萨城对德尔它运载火箭进行测试的时候，发生了一起3级的发动机意外点火事故。

事后经过分析，发生事故的原因是一个技术员戴着皮手套，偶然摩擦了发动机的吸管塑料隔板，电爆管引线上感应静电荷而引起发动机点火。

案例三：在1964年，美国的肯尼迪角发射场，德尔它运载火箭的3级发动机发生意外点火事故，造成了三人死亡。分析表明，事故的原因是由于操作罩在第三极轨道观测卫星上的聚乙烯罩衣时，造成了静电荷的重新分布，结果使漏电流经过发动机的零件到达点火电爆管的壳体而引起的误爆。

第二个是器件失效分析得到的认识：我们在设备的失效过程要进行分析的时候，初步系统的统计数据要进行排列。首位是EOS/ESD引起的失效排在了第一位占59%，EOS和ESD也就是电气过应力和静电放电。

那么在80年代以前，在电子行业出现了静电问题，常常发生一些奇怪的失效，但是在光学显微镜下看，根本查不到失效的原因，最后失效分析的结论归结到了原因不明。真正的突破是在半导体领域扫描电子显微镜的应用，大约在70年代后期，即使是最小的ESD损伤也能够看到了。

从这几张图片当中大家可以看到，在50万倍的显微镜下发生的芯片熔融，损点暗黑，这是引脚输入端的熔融。

第三个是元器件静电损伤的因素，也造成了本身器件的容易受损。第一个是电子元器件的本身存在的静电敏感结构，这是芯片在热效应的情况下引线烧断，基片灼伤。静电放电对集成电路的输入端破坏ESD通道，在输入端的时候立马熔断，立即失效。

静电放电对场效应管的破坏主要是表现在性能下降、缩短寿命、频响下降、温湿度范围缩小、绝缘耐压下降、输入阻抗下降、功耗增加等等。

第二个是元器件的尺寸越来越小，这是我们电子行业发展的趋势。随着微电子技术的迅猛发展，电子产品的更新换代的周期越来越短。

根据摩尔定律：集成电路的集成度每三年增长四倍，特征尺寸每三年缩小四倍，其逻辑密度每18个月翻一翻。这是摩尔定律指出了电子产品的发展方向是向着更小、更快、更低的成本及更短的面市周期。

那么其他的电子元器件，新型的各种器件，多数也都是静电敏感器件。同时各种高分子材料被广泛应用，现代生产过程高速化。

整个电子元器件的趋势是微电子器件集成度高、微功耗、高可靠、多功能。电路中的绝缘层是越来越薄，其互连导线的宽度与间距越来越小。器件的电磁敏感度高，抗过电压能力却有所下降。如果不采取静电防护措施，将会造成严重的损失。

哪些行业需要进行电子元器件的静电放电的防护？主要是三个行业：电子元器件的制造行业、电子元器件的应用行业、电子元器件的销售行业。 

那电子元器件的应用和制造行业是哪些？一是后道加工工序：芯片的划片、粘结、键合以及封装；线路板制造行业：PCB版设计及制造；电子产品制造行业：应用单个元器件或PCB电路板的行业。

哪些是人员需要掌握的元器件相关知识呢？一个是生产和质量管理人员、技术人员、产品维修人员。

我们学习静电防护知识的目的，首先是掌握基础的知识和理论，了解发展的方向，掌握防护技术和实际操作，了解相关的标准。

第一节：静电和静电放电的定义和特点。 

什么是静电？处于稳定状态不产生流动的电荷，称为静电。有三个方面的含义：静止不动的电荷；一般存在于物体的表面；正负电荷在局部范围内失去平衡的结果。

什么是静电电位？带有静电电荷的物体之间或它们和地之间产生一定的电势差，称为静电势，也叫静电位或静电电压。

静电对我们大家来说都有一些直观的感觉，在冬季触碰门把或者汽车都会有电击的这种经历。

那静电放电的定义是什么？处于不同静电电位的两个物体间的静电电荷的转移，人体静电放电最小的放电能量可以达到十的负四次方焦耳，瞬间的放电电流峰值可以达到几安培以上，设备的金属导体瞬间静电放电电流峰值，可以达到几十安培，静电放电的方式有多种，如接触放电、空气放电。

对电子元器件来说，静电放电是广义的，过电气应力的一种。广义的过电应力，是指元器件承受的电流或电压应力超过其允许的最大范围。

静电放电的主观感受，在我们3000伏的时候，你能够通过皮肤感觉得到；在达到5000伏时，你能听得见；到了1万伏时也能够看到。

静电放电的特点：首先，静电电压高，至少是在几百伏，典型值是在几千伏，最高可以达到上万伏。

其次，ESD电流上升时间很短，如人体放电，其电流上升时间短于10个纳秒，持续时间短，多数只有几百纳秒。

第三，相对于通常所说的EOS，其放电的能量较低，典型值几十个到几百个微焦耳。

从图形上我们就可以看出上升的时间是在200皮秒到100纳秒之间，尖峰的宽度是0.5纳秒到10微秒，持续长度大概是100纳秒到2毫秒。

下面是我们对过电应力的几种比较：大家可以看到，我们只选取了三种过电气应力，一种是雷电，第二种是漏电电气过应力，第三种是静电放电。

对闪电来说，它是极端的高压，具有极大的能量；漏电或者低电压的这种小电流、高功率的，它的持续时间长，能量较低；静电放电是高电压，达到4000伏以上，持续时间短，通常在100纳秒，与低能量快速的上升时间，再详细的进行一下比较。

这是EOS与ESD的差异，这两种差异主要表现在几个方面：电荷跟电流性质和来源，特征响应时间以及波形定义。

下面我们简单的叙述一下，从来源上来说：ESD主要是通过摩擦生电，它与电荷的积累有关，伴随着电接触、电弧放电和快速放电过程而产生。相反，EOS是与电压或者电流有关，电压与电流与电源发电设备、机械工具有关。

特征响应时间：ESD虽然说持续时间是几百纳秒，但是它足以通过，因为时间有限，它可以通过建立专用过程相关的ESD标准。

ESD时间响应是快速的过程，ESD事件的时间长度，可以从纳秒到数百纳秒；相比之下，EOS事件是没有响应时间的，它们也许是短时间的响应，或者是长时间的响应，而且整个过程的EOS是很缓慢的，要通过较长的时间来区分。

从波形的定义来看，ESD的波形有一定的事件来定义，ESD的脉冲波形包含在ESD的标准里，不同的ESD事件的人体模型、机器设备模型、机器概念器件模型都是一些完美的定义的波形。

相比之下EOS的波形不好定义的，这也就使得EOS事件的量化难处理的定义，就从这一点就限制了EOS的标准开发和器件与系统的运输要求。从当今易损电荷滥用作为EOS现象量化的标准，还有一些IEC 61000-4-5标准是得以快速的推进。ESD的事件是典型的非周期性电荷产生积累，以及由于开关或者应急窗发生电流传递，这类事件通常是脉冲，脉冲可能是单级或者双向的，那么EOS可能是周期性的单级性或者双极性。

EOS通常在电网或者电源下像是震荡的信号。从可重复性来说，ESD是不可重复的，而EOS事件是可以重复的。那最后一点的差异是失效机制，ESD失效损伤通常是局部的，但在半导体芯片当中，把功能模块上的一个小小的区域，可以当电流幅度或者电压显著增加的时候，也可以发生在更大的面积上。

通常认为EOS事件引起的是更大的失效点，那EOS跟ESD也有一些共同点，它们的相同点都是会导致半导体器件失效和系统失效。这些失效既有差异，也有相似之处。

EOS和ESD都可以导致EOV、EOC和EOP的失效。第二个相似是EOS跟ESD事件都可以在制造跟生产环境以及现场发生。第三个相似之处就是EOS和ESD都可能导致半导体器件的失效。这两类事件当中，电流跟电压水平足以导致介质的击穿，二次击穿和半导体器件的熔化。

EOS跟ESD事件的损伤器件是有源半导体器件和无源半导体器件、线互连、互连电源线、互连地线、层间电介质。因为EOS跟ESD事件会损伤半导体器件，有时很难区分到底是EOS还是ESD,这给确定一些事件的根源带来了困惑。

第二个部分我们讲讲对静电放电的认识：古代静电的认识是在我们汉代、东汉的时候，王充在论坛里头他就写过“顿牟掇芥，磁石引针，皆以其真是，不假他类”意指带有静电的物体能够吸引轻小物体的现象。

静电学基础理论的建立，从静电的现象发生到去研究，·把数学引入到研究当中，静电学的基础理论开始建立了，静电学研究的是静止电荷的特性以及规律的一门科学，是电学的领域的之一。

静电是指静电荷，是称呼电荷在静止时的状态，而静止电荷所建立的电场称为静电场，是指不随时间变化的电场，该静电场对于场中的电荷有作用力。静电现象是由点电荷彼此相互作用的静电力产生的，库伦定律专门描述静电力的物理现象。

电荷，为物体或构成物体的质点所带的正电或负电，带正电的粒子叫正电荷，带负电的粒子叫负电荷，也是某些基本粒子，如电子和质子的属性，同种电荷相互排斥，异种电荷相互吸引。

电荷既不能创造也不能消灭，只能从一个物体转移到另一个物体或从物体一部分转移到另一部分，在转移的过程中，系统的电荷总数保持能量守恒。一个与外界没有电荷交换的系统，电荷的代数总和保持不变。

库仑定律：两个点电荷之间的相互作用力的大小，与它们电量的乘积成正比与它们的之间的距离的平方成反比。作用力方向沿它们的连线，同性相斥，异性相吸。1785年库仑通过实验证明了静电学的基本定律，也就是后面我们称为库仑定律。

奥斯特在1820年发现的电流能使磁针偏转，从而把电与磁联系在一起。安培研究了电流之间的相互作用力，提出了安培环路定律。法拉第1831年发表了电磁感应定律，是电机、变压器等设备的重要理论基础。麦克斯韦1865年在全面总结的前人研究的基础上，把数学分析方法带进了电磁学的研究领域，由此导致的麦克斯韦电磁理论的方针。

麦克斯韦方程组，它揭示了宏观电磁现象的基本规律，形成了人们今天熟悉的麦克斯韦方程组；至此，人类在研究和应用电磁规律方面取得了空前的进展。而静电这个古老的课题却被人们长期搁置下来，似乎被人们忘了。

进入20世纪以后，随着工业技术的发展，人们又开始研究静电技术的应用。与此同时，静电这个不速之客闯入了许多高速发展的工业部门，造成了人们难以预料的各种障碍和事故。特别是近半个世纪，随着科学技术的发展，高分子材料、微电子技术和电爆装置的广泛应用，静电造成的危害已经受到了世界各个发达国家的普遍重视。

那么下面我们讲电子工业半导体器件的静电放电击穿的研究历史，总结了4个阶段。第一个阶段是在六七十年代的时候，以研究雷达用硅检波二极管烧毁的检测方法开始，二次击穿造成这类产品的损害，引起了人们的注意。

第二阶段是在70年代前后，硅MOS型场效应管开始应用，发现只要在100伏左右的电压，栅极氧化层就会击穿，出现针孔。这类现象不仅在器件的制造跟传递过程当中发生，而且将在它们装进设备后也会发生。由此开始，器件的制造商提出了MDS型式，在制造、包装、交付上采取了一系列静电防护措施，从而基本上能够解决了 ESD损坏的问题。

第三个阶段是在70年代前半期开始，此时的汽车制造中收音机普遍的是采用了硅晶体三极管制作。由于汽车行驶而积累的静电荷通过天线进入晶体管，出现了静电放电击穿的问题。

第四个阶段是随着电子设备由中小规模的IC化向大规模、超大规模的IC化推移，全世界对器件防静电放电损害问题的研究进入了新的阶段。

第三节，静电的产生。静电是通过电子或离子的转移而形成的，静电可以由物质的接触与分离、静电场的感应，介质极化及带电微粒的附着等物理过程的产生。

具体的静电产生方法有许多，如接触、剥离、摩擦、感应、冲流、冷冻、电解、压电、温差等。那么在电子产品制造操作现场中，静电产生的主要方法可以归纳为4种：一种是摩擦，一种是感应、一种是剥离、一种是传导。

摩擦就是两个物体接触后再分离，即产生了静电，摩擦产生静电的机理是接触后分离，通常发生在绝缘体与绝缘体之间，材料的绝缘性越好，更容易摩擦生电。摩擦产生静电的大小，与以下因素有关：摩擦物体本身的材料性质、环境的湿度、摩擦的面积、分离的速度、接触的压力以及表面洁净度。

电子制造现场的摩擦起电，接地的工作台器件从PVC往里头滑出，造成放电。从包装盒里取出电路板而带电，从设备里头取出物品，以及在工作表面上器件芯片的滑动，这些操作课程都会引起芯片的集聚。

大多数非导体材料相互摩擦都会产生静电棉花、钢铁、木头、材料、聚乙烯。但产生的电荷量多少是由材料的起电序列决定的。这张表就是静电摩擦起电序列的，上面是正电，下面是负的。当人发与玻璃摩擦的时候，不容易起电；那么如何带电呢？通常的是玻璃是带正电，头发是带负电，所以在序列表里头两种材料的相隔越大，摩擦起电的容易。在我们的静电防护的应用当中，我们通常是选取抗静电的一些材料，作为应用。

第二部分是感应产生静电，感应是怎样产生静电的呢？通常的感应是通过接触导体靠近带电体时，靠近带电体的一侧时产生异性的一个电荷。

如果说一个器件靠近带电的导体以后，它也会产生一个负的电荷。感应带电，它的特点是两个物体不需要直接接触；那么非导体不能通过感应产生改变的。

在我们生活当中的，我们通常有静电感应类，带有大量的负电荷的雷云所产生的静电在线路上会感应出电场，被束缚的正电荷，当雷云对地放电或云间放电的时候，云层中的负电荷在一瞬间会消失。在线路上感应出的这些被束缚的正电荷也在一瞬间失去了束缚。在电势能的作用下，这些正电荷将沿着线路产生大电流冲击，从而对用电设备造成了极大的损害。

感应起电有5个特点：整个导体的静电硬件平衡的，把内部的电场为零。整个导体是属于等位面，那么电塔垂直于导体的表面，电荷是分布在导体的表面上，一定是均匀的。

第三个我们是讲剥离起电，相互紧密结合的一个物体剥离时引起电荷的分离而产生静电的现象，我们称为剥离起点。剥离实际上也是一种接触分离的起电，它会产生很高的静电位，它的因素跟分离的速度有关，这个是我在现场当中测试到的，胶带在撕扯的时候能够产生2万伏的电压，剥离速度与带电量的关系。

这张表显示随着剥离速度的增加，有一个物理过程，带电量随着剥离速度的增加，电量逐渐的上升。

第四个是传导起电，针对导电材料来说，电子是在导体的表面上自由流动，当与导体接触的时候，将会发生电荷的转移，它影响传导体起电的因素，主要是温湿度。

第四个部分我们讲静电的来源。首先人体是我们最大静电的危险源，主要是人体的接触面广，活动范围大，人体与大地之间的电容典型值为150P，人体的电阻较低，容易感应起电。这张图片是人体行走过程当中的带电；在操作区域里头穿、脱衣服都容易会造成带电。

这是整体不同的活动产生的静电对比的一张图，在行走过程当中最高可以产生到250伏，那么操作员坐下的时候相对来说是低的，双脚提起以及站立坐下，都是不同的。

那么这张表呢是可以帮助不同物体活动产生的静电的对比。磁头是只有10伏，人体走路达到35,000伏。

不同的湿度下人体产生的静电比对，刚才讲的人体走动的时候是在35,000伏，那么这个一般来说相对尺度是在10%~20%。如果在同样的环境下，在地毯上行走，当湿度增加到65%以上的时候，静电电压就降低到1500伏。

不同的材料活动时，人体产生的静电我们也列出了一张表：仿棉制品、涤棉织品、羊白织品，一些在穿上、脱下的时候，这些产生的静电都给出了一些值。

影响人体静电积累的因素有哪些？主要有4点：第一是衣服材料影响人体带电的极性与人体带电量的多少；第二是人体活动的速率和操作速度影响人体起电率；第三是人体对地泄漏电阻对人体静电的积累有显著的影响；第四个环境温湿度的影响，不同的人对地泄露电阻是不一样的。

第二个是仪器跟设备的带电。仪器跟设备也会因为摩擦或者静电感应而带上电，这些设备通常传输机、贴片机、设备的仪器外壳，这些设备跟仪器带电后，与元器件接触就会产生静电放电，从而造成了损伤。

第三个是器件本身的带电，电子元器件的外壳与绝缘材料的相互摩擦也会产生静电。器件外壳摩擦产生静电后，会通过某一接地的管脚或外接引线释放静电，也会对器件造成静电损伤，这是绝缘物带电，那么靠近器件时就会造成的器件的带电。那么在器件元器件移动以后，在接地的工作台，它就会造成二次的放电。

其他的静电来源就包括服装、鞋、树脂、浸漆，塑料以及绝缘地面、烘箱、低温箱、空气压缩机，电烙铁一些等等都有静电的来源。这里涉及到我们电子元器件的制造、安装、传输整个全过程。

第五节，我们讲一讲静电放电的模型，带有静电的物体与元器件进行接触的时候，静电会转移到元器件上或通过元器件放电，元器件本身带电，那么通过其他物体放电的两种过程，都会造成元器件的损伤，但是损伤的程度与静电放电的模式有关。

静电放电模式：是为了建立统一的测试基准而提出的模型，以利于电子元器件、设备开展静电放电的实验以及分级，分析失效原因，改进产品设计，提高防静电性能。

那我们第二点就讲讲静电放电的模型，至于分级以及其他的内容。我们不再展开。带电人体放电模型，我们通常称为HBM，是一个放电的等效电阻是1.5倍，整条电容是100pF。

当人体接近带电导体物体时，如果空气气隙上的电位梯度足够高，电荷会以火花的形式转移到物体上，电荷转移过程当中的能量既可能低得不易察觉，也可以造成十分疼痛的感觉。

上图表格是导致部分元器件静电的敏感程度，人体对静电的感知是3000伏能听得到，所以说在电子操作现场当中，在我们人体还没感觉到的时候，往往都可能造成了电子元器件的受损，因为电子元器件大多数都是在100~500伏之间。

这张表是整体放电模型、放电电压与峰值的电流值。

第二个是带电器件的模型，我们也叫CDM，随着以大规模自动化的生产应用，这种放电模式越来越大。它的表格器件自身的带电，带电以后，靠近或者接触的人体，造成了静电放电。这个导体台或者人是接地的，这是CDM的，是放电的模型。

CDM模型当中有一种双重的放电，一个就是绝缘体，靠近器件的时候它会反应生电，生电以后它会对地造成放电。当它离开了以后，器件就可以带有不同的一个电荷，移动了以后，接触到导体，它会造成二次的放电。

第三个是设备模型，带电的孤立的面板、小车、金属盒或任何孤立的导体对电子器件发生的静电放电事件。这样的电路很小，小于10欧姆，那它的放电波及是不超过400-500欧姆的负载。

第四个我们讲讲，在我们电子操作现场里应用的一些工具，人体加上手持小金属物体就构成了对设备的放电模型，这个模型危害比人体模型的还要大，主要是告诉大家这个电阻比较小为330欧姆。但是它因为这个是手指金属的小物件，就相当于一个跟物体的一个尖端放电，人体的体积大，人体所在的静电荷从工具尖端很容易造成放电，所以它的危害是比较大的。

这是一种放电模型的列表。

大家可以了解一下这张表同样的也是带电量的、模型的电压、放电电流和时间常数。

第六节，我们讲讲静电放电的失效模式，失效模式通常就是有两种：一种突发性失效和潜在性失效。突发性失效是指元器件受到静电放电的损伤以后，突然完全的丧失其规定的功能，主要是表现在开路、短路或参数的严重漂移，那么对它的失效判据主要是功能失效，不能正常工作。

潜在性失效主要是指静电放电的能量较低，仅在元器件内部造成了轻微的损伤，放电后器件电参数仍然合格或略有下降。那么它对器件的使用可靠性的影响主要表现在：器件的抗过电应力能力的削弱，使用寿命明显的下降。它下降的这种判据主要是：还能够工作，技术指标下降，适应环境的能力下降。

在使用环境中出现的静电放电失效大多数为潜在性失效，我们所要解决的，最主要的也就是潜在性失效。因为它主要是降低了使用的寿命，缩短了使用的寿命。但对隐形产品来说往往是一些致命的，缩短了一些预期，比如说预期是四、五年半的寿命，但是有的不长。

据统计静电放电造成的使用失效当中，潜在性失效占90%，突发性的失效仅占了10%，所以说潜在性失效的危险性主要在难以检测，影响了器件的使用寿命，静电损伤的特点是具有累积性。

这边可以给大家讲累积性的情况，累积性如果说是静电放电的敏感度是千伏的时候，对它进行一个静电600伏的损伤，可能它对整个性能没有影响，它也在符合范围之内，但是它已经有了损伤的一个记忆，就是说它限定里头会产生矛盾。这次如果是600伏的损伤，再进行600伏，那么可能像后续的耐静电的能力就达不到千伏了，可能就只剩下800伏或者600伏了。这是累积性的理解，那元器件性能下降的很多方法之一通常是用引脚的伏安特性的测试法，正常的时候，这是典型的二极管的曲线；是残品的时候耐压的范围就变小了。

第二部分我们讲一下失效的机理，失效的机理主要是静电放电的回路阻抗较低，绝缘性差，元器件往往会因为放电期间产生的强电流脉冲导致高温损伤，这属于过电流损伤。如果放电回路阻抗较高，绝缘性好，则元器件会因接受了高电荷而产生高电压，导致强电场损伤，这个是属于过电压损伤。

过电压场致失效，其定义是高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端的电极因接受了大量的静电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使电极之间的介质发生击穿失效。

静电电荷和高电压的来源既可以是直接接触放电，也可以是由于场感应而产生的。影响过压失效的主要因素是静电电荷量和高电压。

损伤的潜在性，静电放电的能量不足以造成器件的永久性损坏，既击穿后器件性能有可能恢复，但已引入潜在缺陷，继续使用会经常出现低电压击穿和漏电增加，不久即会出现致命失效。

过电流热致失效，过流失效的定义是较低阻抗的放电回路中由于电流的扩大，局部温升超过材料的熔点，导致材料发生而导致元器件失效。影响静电放电过电流的主要因素，也是静电能量的扩大对元器件造成的ESD的损伤。

还有就是功率，静电能量大以后，如果释放的时间长，功率会很小， ESD的损伤也就小，当静电放电电量不变的时候，放电回路中的电阻、电容越大，功率就越小，静电损伤就越小。

减小过流失效的主要途径是：减小静电电荷的积累，降低静电能量；增加放电回路的串联电容和电阻；增加放电回路最大电流密度区域的横截面积。

元器件中过流失效常见模式。有闩锁效应、健合线的融化、触发功率晶体二极管的二次击穿效应、PN结损伤。

好，我们来最后一节，防静电材料及划分。在我们防静电防护工程领域，静电防护材料按照电阻率的大小进行分类，根据材料电阻率和表面电阻率的不同，分为导静电材料、静电耗散材料、静电亚导体以及绝缘材料。

静电导体表面电阻小于10的5次方，体积比电阻小于10的4次方欧姆的材料，这种材料电阻小，电荷在其表面以及内部流动非常容易，可流向任何接触其他导体或大地。

静电屏蔽材料，表面电阻小于10的4次方或体电阻小于10的三次方的材料，采用这种材料制作的法拉第保护道，可以做屏蔽带，可以避免静电敏感材料受到静电放电的影响。那么这种屏蔽带都属于静电导电的材料。

第三个是静电耗散材料，是取决表面电阻大于10的5次方和小于10的12次方的或体电阻大于10的4次方小于10的是11次方的材料。这种材料中电荷在电场的作用下移动，但比导电材料中电荷移动缓慢。静电耗散型材料在自然界当中目前还没找到，这些耗散性材料多数是采用一种人为的改进，使它具备耗散的功能。

绝缘材料大家也比较熟悉了，它的组织是小于12次方或体电阻大于11次方的材料，能够阻止或者限制表面体内的电荷的流动，绝缘性材料无法通过接地方法泄漏其电荷。

作为防静电材料，因为我们防静电工作区的设施都尽量选用静电导体材料做成，保证物体上所带的电荷不会积聚到发生危害的程度。而直接与静电敏感器件接触的物体，尽可能选用静电耗散材料，以限制的所带电荷为主解快速泄放，造成带电器件的静电放电。

谢谢大家，我的分享到此结束了。