先进封装中经常会用到等离子体处理晶圆表面，有什么作用？哪些步骤会用到？
在凸点工艺、再布线层工艺、硅通孔工艺、键合及解键合工艺中都需要用到等离子表面处理。在先进封装中，PI胶或光刻胶经湿法去胶后，表面仍然残留一定的较薄的胶层；而在凸点工艺结束后，需要将下金属层UBM多余的部分用湿法刻蚀除去，但是湿法去除并不彻底。通常使用O2 Plasma来去除残胶，用Ar离子轰击除去残留金属。等离子轰击晶圆表面，可以对表面进行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面对晶圆表面进行改性，这两个措施都能提高基材与沉积膜层的结合力。
使用等离子处理后的材料，增加了表面的极性基团，亲水性提升，接触角减小。
