硅片抛光的意义
硅加工中，多线切割、研磨等加工过程中，会在表面形成损伤层，从而使得表面有一定粗糙度。抛光就是在磨片基础上，通过化学机械研磨方式，进一步获得更光滑、平整的硅单晶表面的过程。
研磨片：一定厚度的薄片，是一种体材料，只关注某些体的特征参数，如厚度、翘曲度，和表面的参数，如崩边。抛光片：有光滑表面的硅片，主要关注加工的硅表面的特征参数。- 总指示读数(TIR)：硅片抛光表面最高点和最低点之差，即峰谷差值，只为正值。
- 焦平面偏差(FPD)：表面最高点和最低点二者中，偏离基准平面的最大值，可以是正或负值。
CMP过程中兼有化学、机械作用的优点，可以在较大范围内实现极高的表面平整度，是目前唯一的大面积表面平坦化的抛光技术。普遍采用碱性SiO2的化学机械抛光，可以在12、18英寸硅片上实现100纳米以下的粗糙度。在CMP过程中，抛光液中的碱与硅表层发生化学反应，并生成较疏松的硅酸盐(粘附在表层，阻碍深层反应)，再通过SiO2胶粒和抛光布垫的机械摩擦而脱离表面，从而实现表层剥离。此过程反复进行，从而对硅片逐层剥离，并实现对硅片的高精度抛光。
