晶体缺陷主要分为以下几种：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。
点缺陷（Point defects）
最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位、间隙原子、杂质、溶质原子等。
原子迁移到晶体表面或内表面的正常结点，使晶体内部留下空位，称为肖特基缺陷。
正常结点位置的原子迁移到点阵的间隙位置，使晶体中形成数目相等的空位和间隙原子，称为弗伦克尔缺陷。空位—间隙原子对。空位和间隙原子都会使点阵产生弹性畸变，而且间隙原子引起的畸变程度要比空位引起的畸变大的多，因此，间隙原子形成能大，在晶体中的浓度低。一般，晶体中间隙原子的形成能是空位的形成能的3-4倍。主要是指位错，是一个直径为3～5个原子间距，长数百个原子间距以上的管状原子畸变区，也称为一维缺陷。位错分为韧型位错、螺型位错、混合位错。若额外半原子面位于晶体的上半部，则此处的位错线称为正刃型位错，反之，则称为负刃型位错。螺型位错无额外半原子面，原子错排呈轴对称；根据螺旋形排列的原子的旋转方向不同，可分为右旋和左旋螺型位错。在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。包括晶界、孪晶界、堆垛层错、相界等。晶体内部偏离周期性点阵结构的三位缺陷称为体缺陷，主要有包裹体、空洞、夹杂物、第二相等。550℃-700℃，热处理温度较低，氧沉淀是伴随层错的针状氧沉淀或不伴随层错的针状氧沉淀。900℃-1100℃，热处理温度较高，氧沉淀的形状会越来越紧密，这时硅体内最多的氧沉淀形态为八面体。这是因为氧沉淀要依靠形状更紧密而降低表面能，而八面体氧沉淀{111}结晶面的表面能是很低的。参考来源：刘世龙
