这个要是拆起来就很复杂了，要分6/8/12，Si/SiC，不同工艺、不同产品、不同产能。
一般来讲，几个亿元到大几百亿不等；
小尺寸非IC万片产能的通常得花几个亿RMB；12英寸+Si+28nm+2万片/月的capex（资本支出）就大百亿RMB了，7nm接近翻倍了，到3nm的花销真实天文数字！
那这些钱都花在哪了？
1、设备成本：包括光刻设备、薄膜设备、蚀刻设备、离子注入设备、清洗设备、检测设备、CMP设备等；2、建设成本：包括土地、建筑、无尘室等基础设施；3、研发成本：工艺研发和产品开发花的；4：其他运营等成本：包括人员工资、水电费、原材料等以及生产过程符合环保和安全标准所要的钱。第一、设备70%-80%，且越先进，比例越高，甚至达到90%。（不同设备花钱的平均比例：光刻25%、刻蚀和去胶20%、薄膜沉积20%、退火/炉管/IMP5%、量检测15%、清洗&CMP设备8%、其他加工设备7%）第二、厂房建设10%-20%，且越先进，占比越低。（设计2%-5%、土建设施30%-40%、机电25%-30%、洁净室系统20%-30%）
