如果说在这波AI浪潮里，英伟达成为红利最大的半导体巨头。那么，作为英伟达供应商的SK海力士和美光，旗下的HBM更是成为芯片领域的“香饽饽”。不仅今明两年的HBM产能被预定一空，订单已经排到2026年。而由于HBM需求太大，SK海力士的扩产计划在持续推进，但同时HBM也会排挤到DDR5 的产能，导致DDR5后期涨价可能性较大。

HBM订单排到2026年

据台系内存供应链透露，由于英伟达的AI芯片供不应求，顺利打入供应链的SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，订单能见度甚至将看到2026年第1季，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。

目前SK海力士的新厂建设及扩充产能都在推进，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。

SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资，SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片， SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。有业内人士则指出，“设备订单数量的增长已经超出了我们最初的预期。”

除此之外，SK海力士之前在4月决定，将忠清北道清水市M15X厂作为下一代DRAM生产基地，该厂目前正在建设中，明年11月左右竣工，预计SK海力士将于明年初开始订购所需装备。

一系列利好消息让SK海力士在6月18日的股价上涨多达4%，达到2000年10月以来的最高点。市场消息称，SK海力士可能会上调其未来的盈利预期。

除了SK海力士，美光也计划于广岛兴建DRAM新厂，预定 2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设。

DDR5产能受排挤或涨价

此外，业界分析，AI带动高带宽内存需求强劲，不仅享有高毛利优势，目前也出现供不应求盛况，吸引SK海力士、三星、美光等三大DRAM厂倾全力投入，在产能排挤效应下，将有效控制DDR5与DDR4产量，助攻DRAM报价与市况。

十铨则表示，随着DDR5供给有限，下半年价格将续涨，预期涨幅有望达双位数百分比；DDR4价格同步看升，下半年涨幅至少30%。

也有模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10~20%涨幅，但若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。

三星HBM 3D封装年内落地

作为存储三大巨头，SK海力士和美光均已通过英伟达的认证，但三星旗下的HBM3E内存目前仍未正式通过英伟达的测试，仍需进一步验证。

不过，据韩媒援引三星电子公司和消息人士的话称，三星电子将在年内推出高带宽内存（HBM）的3D封装服务，计划明年推出的第六代HBM芯片HBM4将采用这种封装方式。

即将推出HBM的3D封装服务意味着三星加快研发脚步，争取缩小与SK海力士在HBM4的差距。

三星这项被称为SAINT-D的最新封装技术是在逻辑芯片上垂直堆叠HBM芯片，以进一步加快数据学习和推理处理速度。由于AI芯片封装需要整合不同类型的芯片，往往芯片代工厂需要与其他芯片制造商合作设计封装。

而三星可提供HBM 3D封装的一揽子解决方案，即三星先进封装团队把内存业务部门生产的HBM芯片与代工部门组装的逻辑芯片进行垂直堆叠封装。

三星电子高管表示，3D封装降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片的电信号质量。

市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，随着对低功耗、高性能芯片的需求不断增长，HBM在DRAM市场的份额将从2024年的21%增至2025年的30%。

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