晶圆减薄的背磨设备

将芯片进行封装时，由于前段制程中出来的晶圆厚度太厚了。所以需要从晶圆的背面切开，使其达到规定的厚度。背磨设备就是用来完成这个任务的。

什么是背磨？

300mm晶圆厚度为775μm，200mm晶圆厚度为725μm。当晶圆在前段制程中由工艺设备进行加工或在设备与设备之间传送时，上述厚度需要满足晶圆的机械强度和翘曲等形状规格。但随后的后段制程中为了将芯片进行封装，需要使其薄至100～200μm。这个削薄的过程就是背磨工艺。

背磨工艺与CMP类似，它们都是使晶圆变薄了几分之一的操作。

实际操作是将含有金刚石磨粒的扁平砂轮以5000转／min左右的转速旋转，对晶圆进行减薄处理。此时，为了不损伤LSI，需要在晶圆表面形成保护膜，将保护面进行真空处理，固定在卡盘台上。
通过以约5000转／min旋转的金刚石砂轮从晶圆背面经过达到磨削的效果，可以改变磨石的数量实现精磨。最后因为保留了约1μm的损坏层，所以需要将其清除。最近，可以使用干法抛光来代替化学去除工艺。从设备上取下晶圆后，取下表面的保护膜。该保护膜使用专用设备进行粘贴和去除。但是在将其移除之前，请将用于切割的胶带粘贴到晶圆的背面。

背磨设备的概要

由一个晶圆装载／卸载部分和一个抛光台组成。实际设备是多头、又深又长的设备。每个头是一个真空吸盘台。一旦晶片被夹持住，它就会按顺时针方向被送到每个头进行处理。一些设备还具有定心台和晶片倒置功能。

海力士官网关于背磨的资料：