自2024年以来，英特尔、台积电、三星、格芯等半导体大厂都已宣布获得补贴。而近日，有消息称美国存储芯片制造大厂美光科技也将获得逾60亿美元的补贴。

如今，该消息得到了美光科技的证实。

当地时间4月25日，美光科技正式在其官网宣布，获得61亿美元政府补助。

美光在新闻稿中指出，已经与美国政府签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，将依据《芯片与科学法案》而获得美国政府提供的61亿美元资金补助，以支持爱达荷州和纽约州计划的尖端内存制造。

据悉，除了61亿美元资金补助，美光还将受益于美国财政部的投资税收抵免，该税收抵免将为美光合格的资本投资提供25%的抵免。此外，纽约州政府也将为美光提供高达55亿美元的激励措施。

这些拨款以及额外的州和地方激励措施将支持美光在爱达荷州建设一个领先的DRAM存储器制造工厂，并在纽约州克莱镇建设两座先进DRAM存储器制造工厂。新闻稿表示，美国政府的补贴将支持美光计划到2030年为美国国内领先的存储器制造投资约500亿美元的总资本支出。

美光表示，500亿美元的投资金额也是美光未来20年在纽约和爱达荷州投资至多1250亿美元、创造上万个就业岗位计划的第一步。

此前，美光已宣布将在纽约州建设4座工厂，并在其总部所在地爱达荷州博伊西市建设1座工厂。

2022年10月，美光科技宣布，为促进存储芯片生产，计划未来20年内投资1000亿美元在纽约州北部锡拉丘兹地区新建4座工厂。该战略是美光未来十年将美国DRAM产量提高到该公司全球产量的40%战略的一部分。

美光表示，纽约项目正在进行初步设计、实地研究和包括NEPA在内的许可申请。第一座晶圆厂的建设预计将于2025年开始，并于2028年投产并贡献产量，并根据未来十年的市场需求而增加。

而位于爱达荷州的工厂已于2023年10月开工。美光表示，该厂预计将于 2025年上线并投入运营，2026年正式开始DRAM的生产，DRAM产量也将随着行业需求的增长而不断增加。

美光预计，到2035年其爱达荷工厂和纽约的两个工厂在先进内存制造领域的份额将从目前的不到2%增加到约10%。

对于上述建厂计划，美光首席执行官Sanjay Mehrotra上个月表示，这些计划“要求美光获得足够的芯片补贴、投资税收抵免和当地激励措施，以解决与海外建厂相比的成本差异。”

2022年，为重振美国半导体生产，美国政府正式通过了《芯片与科学法案》，其中包括向半导体行业提供约527亿美元的资金支持，为企业提供价值240亿美元的投资税抵免等。

而截至目前，除了美光的61亿美元之外，美国政府此前已确定向台积电、英特尔、格芯、三星等芯片制造商发放数百亿美元的补贴。从数量上来看，上述厂商在美国建设（进行中和计划）的晶圆厂已超10座。

4月15日，美国政府与韩国三星达成协议，将向该公司提供高达64亿美元的直接资助，用于在得克萨斯州建立一个半导体生态集群，包括两家生产4纳米和2纳米芯片的工厂。此外，还将建设一家专门负责研发的工厂，以及一个芯片组件封装设施。

4月8日，美国商务部和台积电签署了一份不具约束力的初步备忘录（PMT），基于《芯片与科学法案》，台积电将获得最高可达66亿美元的直接补助。此外，台积电还宣布，计划在美国亚利桑那州建设第三座晶圆厂。台积电表示，其第三座晶圆厂将使用2纳米或更先进的工艺生产芯片，并计划在2028年开始生产。

3月20日，美国商务部与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），前者向英特尔提供至多85亿美元的直接资金和最高110亿美元贷款以扩大其高端芯片制造产能。按照计划，英特尔将在美国四个州投入1000亿美元，用于建设新工厂及升级现有工厂。包括在亚利桑那州和俄亥俄州大型工厂生产尖端半导体，以及俄勒冈州和新墨西哥州小型工厂的设备研发和先进封装项目。

2月19日，美国政府表示，将向格芯提供15亿美元资金，以扩大半导体生产。根据格芯与美国商务部达成的初步协议，该公司将在纽约州马尔他兴建新厂，并扩大当地与佛蒙特州伯灵顿既有的生产规模。

事实上，自2023年2月开放资助申请以来，美国CHIPS计划办公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向书和180份项目申请。由于资金有限且申请数量巨大，CHIPS项目办公室已近日宣布，计划关闭半导体制造工厂的资助申请，将关闭对半导体工厂或晶圆厂的联邦资助机会，“直至另行通知”。