SiC建厂热潮还在愈演愈烈。2023年6月7日，意法半导体与三安在中国重庆共同建立一个新的8英寸SiC器件合资制造工厂，这一中外合作的事件一时间引起业界的广泛关注。该厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，该厂达产后可生产8英寸SiC晶圆1万片/周。据了解，该合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%，意法半导体（中国）投资有限公司持股49%。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸SiC衬底工厂作为配套，计划投资约70亿元。

而就在今年的5月份，另一家SiC巨头英飞凌与中国的2家SiC材料供应商天科合达和天岳先进分别签订了SiC晶圆和晶晶锭供应协议。这些协议不仅让英飞凌多元化其SiC（SiC）材料供应商体系，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的SiC材料供应。英飞凌正着力提升SiC产能，实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。

根据协议，这两家厂商第一阶段将侧重于150毫米SiC材料的供应，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。但2家厂商也将提供200毫米直径SiC材料，助力英飞凌向200毫米直径晶圆的过渡。

对于这些欧洲SiC巨头而言，无论是与中国的厂商一起建SiC厂还是签订衬底材料合约，都将有助于保证整个供应链的稳定，有利于他们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。

这也从侧面展示了中国市场的巨大潜力，反映出了国产SiC行业的迅速崛起。经过多年的积累和发展，国产SiC在材料和晶圆代工等领域已经展现出了巨大的潜力和前景。

由于SiC的工艺和设计需要紧密联系，所以很大程度上仍然是IDM主导的业务。但是代工厂的出现却让国内一众SiC参与者有了坚固的后盾。

2021年湖南三安投资25亿建造了一条产业链包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的SiC生产线。湖南三安是国内为数不多的SiC垂直产业链制造平台，目前SiC产能已达12,000片/月，湖南三安二期工程将于2023年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。据三安财报显示，2022年湖南三安实现销售收入 6.39亿元，同比增长909.48%。而且已签署的SiC MOSFET长期采购协议总金额超70亿元。

此外，在SiC晶圆代工领域，还有芯粤能，该公司一期规划年产24万片6英寸SiC晶圆芯片，计划2024年12月底达产，同步启动的二期项目年产24万片8英寸SiC晶圆芯片，预计2026年达产。

更多的厂商嗅到了SiC代工的商机。2023年5月22日，长飞先进宣布其位于武汉的SiC晶圆代工厂正式启动，据悉该项目规模达年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，预计2025年建设完成。

上游材料是SiC产业的原材料，衬底生产也是行业发展的关键环节，它直接决定了SiC器件的最终成本。从SiC衬底尺寸发展趋势来看，一方面仍然会向8英寸SiC产品前进，另一方面6英寸SiC产品仍将在很长一段时间内继续发展。Yole数据显示，截至2022年末，全球功率SiC衬底市场中6英寸导电型衬底约80%。

天科合达和天岳先进均是国内最早同时布局导电型SiC衬底和半绝缘型SiC衬底产品的企业之一。据天科合达表示，目前其SiC衬底产能规模在行业内位居国内第一、全球第四。去年11月，该公司成功研发出了8英寸SiC衬底新产品，将于2023年实现8英寸导电型SiC衬底小规模量产。

天科合达8英寸SiC晶体(直径可达209mm)

及晶片外观图

目前天岳先进已经实现6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应。根据YOLE报告，2022年，天岳先进在半绝缘SiC衬底领域，市场占有率连续四年保持全球前三，导电型SiC衬底产量持续攀升，市场占有率逐步提高。2022年，天岳先进与国内外多家汽车电子、电力电子器件等领域的知名客户签署了长期协议，这也为其2023年-2025 年的销售增长提供持续动力。同时，随着上海临港智慧工厂即将实现量产，预计公司在功率SiC领域将获得更大的市场影响力。

导电型和半绝缘型SiC衬底的用途

（信息来源：天岳先进）

随着国产SiC衬底材料厂商的发展，国外SiC厂商感受到了一定的危机，据Digitimes的报道，为应对来自中国竞争对手的日益激烈的竞争，欧洲、美国SiC衬底供应商对亚洲客户小幅下调价格。

据了解，除了上述这2家SiC衬底厂商外，国内还有多家SiC衬底厂商正在关键技术领域取得突破，如烁科晶体、晶盛机电、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体等已成功研制出8英寸SiC衬底。伴随着SiC衬底的成熟，预计成本将进一步下降，这对于整个SiC产业而言，也是发展的必然趋势。

其实不仅是上游的材料厂商，国产SiC器件厂商通过加大研发投入和技术创新，不断提升产品的质量和性能，也取得了不俗的成绩，在一些指标上已经可以与大厂进行PK。

在SiC器件领域，根据Yole 2022年的数据，STMicroelectronics（ST）占据了全球37%的市场份额，成为市场的领导者。其次是英飞凌（Infineon）占据19%的份额，紧随其后的是Wolfspeed，占据了16%的份额。在这几家厂商之后，依次是安森美（ON Semiconductor）、罗姆（ROHM）和三菱电机（Mitsubishi Electric）。这些厂商共同占据了全球80%以上的SiC市场份额。然而，随着国内SiC产业的迅速发展和国产SiC器件厂商的崛起，未来的市场格局可能会发生一定的变化。

从SiC器件的技术结构来看，主要有平面栅和沟槽栅两种不同的结构类型，沟槽栅能大大提升器件参数、可靠性及寿命，但是其更复杂，因此制造成本也更高。目前大多数SiC器件厂商都是采用平面型为主，不过也基本都在向沟槽型结构上探索，具体可以查看《中国SiC，挖坑了吗？》。国内厂商中也不乏有在沟槽型结构研究的厂商，如安海半导体在2022年初成功研发出第一代沟槽栅SiC MOS、芯科半导体已成功开发了沟槽型SiC MOSFET功率芯片。中车时代和芯粤能都已开始布局沟槽栅SiC MOSFET芯片产线。

国产SiC器件厂商通过持续的技术创新和产品优化，逐渐获得了市场的认可和好评。在量产上车方面，国内SiC器件厂商也已经开始崭露头角。有研究分析机构表示，2023年是国内SiC MOSFET打入汽车供应链的关键节点，2025年国产SiC MOSFET将迎来大规模上车之年。

2022年派恩杰实现供货3.6kk SiC MOSFET芯片，据悉，派恩杰的SiC MOSFET产品丝毫不逊色国外，具有业内领先的HDFM指标和较低的开关损耗，以及在高温运行下有较高的效率和较小的体积。

中电科55所SiCMOSFET也已经被包括一汽红旗等多家国内车企所采用，装车量达百万辆。今年4月17日，中电科55所与一汽联合研发的首款750VSiC功率芯片完成流片，据悉，该芯片技术达到国际先进水平。

国产SiC器件厂商在追赶和超越国际竞争对手的道路上取得了重要进展，但仍需要不断努力以确保其长期竞争力。SiC是一场持久战，对于国内SiC厂商而言，诸如ST和三安的这种中外合作无疑是一条“鲶鱼”般的存在。它一方面对产业而言发展具有很大的促进作用，合作将竞相推动技术创新和产业合作，也将进一步加快国内SiC产业的发展步伐。但国内一众SiC器件供应商面临的竞争也越发激烈，尤其是在8英寸领域的竞争，他们需要进一步提升自身的技术实力和产品质量，加大研发投入，不断创新，以抓住SiC热潮带来的机遇。

如今，无论是上游材料、晶圆代工厂、器件、封装，国内在SiC的各个细分供应链环节都已有玩家在积极参与，并逐渐占据了市场份额。虽然国内还缺少一个领先的IDM，但是却可以利用整体的制造能力来赶超国外。随着SiC技术的不断突破和国内产业链的完善，国内SiC产业有望进一步壮大并在全球竞争中占据更有利的地位。

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