在半导体制造流程中，晶圆经过前端工艺和晶圆测试后，将进入后端工艺。后端工艺的起点通常是晶圆背面研磨，即对晶圆背面进行减薄处理。这一步骤也被称为晶圆减薄工艺，是半导体制造中的关键环节。

晶圆减薄直接决定了晶圆的最终厚度。一般来说，经过前端制造后的晶圆厚度较大（常见规格参见下表）。为了缩小封装体积，必须对这类较厚的晶圆进行减薄处理。

晶圆尺寸与厚度对照表（基于行业标准）

从芯片性能与封装需求来看，晶圆减薄具有以下五个方面的作用：

一、提升散热效率
随着芯片结构日益复杂、集成度不断提高，晶体管数量急剧增加，散热成为影响芯片性能和寿命的关键因素。晶圆厚度越小，芯片的散热能力越强。

二、缩小封装尺寸
微电子产品持续向轻、薄、小方向发展。减薄晶圆厚度可直接减小芯片封装后的整体尺寸，满足小型化需求。

三、降低芯片内应力
芯片在工作过程中会产生热量，导致材料各层之间出现热差。晶圆厚度越大，背面产生的内应力越显著。内应力过大会造成芯片开裂。减薄晶圆有助于降低内应力，提高芯片结构可靠性。

四、提高电气性能
晶圆厚度越薄，接地平面与背面镀金层的距离越近，器件的高频性能越好。同时，硅衬底变薄使其电阻减小，器件导通状态下的总导通电阻随之降低，从而减少电压降和功率损耗。

五、利于划片
减薄后的晶圆在划片（将晶圆分割为单个芯片）过程中更易于操作，有助于提高划片质量和效率。