一旦这一项技术被应用到晶圆上，聚酰亚胺就在表面上流动，从而可以使其更加平整。在应用和流动过程之后，聚酰亚胺可以被硬层覆盖，并像光刻胶一样可以使用化学物质进行图案化过程。聚酰亚胺层流行特性的一个用途就是可以作为两层导电金属之间的介质层。聚酰亚胺的平整效果使得第二层金属的定义变得更加容易。

回蚀平坦化

回蚀过程可以被用于局部平坦化过程（如下面的图中所示）。在金属线条被精确的定义后，可以在表面沉积了一层厚的氧化物层，并可以在氧化物上旋涂一层光刻胶。蚀刻过程可以在等离子体蚀刻机中进行。具体的实现过程是：首先，较薄的光刻胶被蚀刻掉，然后开始蚀刻氧化物操作。后来，较厚的光刻胶最终被蚀刻掉，一些存留在表面的氧化物被移除。最终的结果是表面局部变得非常的平整。

双损过程

组件密度的增加可以迫使我们使用多层金属。不同的金属层之间的连接需要使用连接导体，这些导体被称为柱或插头。钨是首选金属，但钨的蚀刻存在复杂性。此外，铜已成为首选的金属化系统，取代了铝。然而，铜技术引入了一系列工艺问题。其中一个是用称为双损的过程替换传统的图像和蚀刻过程。它是一个嵌入式过程，原则上类似于古代的嵌入式金属过程。在该过程中，在碗或其他物体的表面制作凹槽。将金属应用于整个表面，也填充了凹槽。在去除表面多余的金属后，一些金属留在凹槽中，留下了装饰性图案。在半导体应用中，凹槽是通过光刻技术创建的，铜是通过电镀沉积的。金属沉积过程溢出表面。化学机械抛光（CMP）步骤用于去除溢流，留下金属在其沟槽中（如下面的图中所示）。在后面的系列当中我们会对这种新的和重要的图案技术有更详细的讨论。

化学机械抛光