继在高带宽内存（HBM）市场占据领先地位之后，SK 海力士还在 NAND 闪存领域对三星电子构成威胁。尽管它在市场份额方面仍然落后，但它在垂直堆叠单元的堆叠技术方面处于领先地位，这预示着 NAND 市场将发生翻天覆地的变化。

NAND是一种非易失性存储器，即使在电源关闭时也能存储数据。与易失性存储器 DRAM 不同，它主要用于数据存储设备。与 DRAM 相比，NAND 市场落后了一步，DRAM 可以快速实时处理大量数据，例如下一代 HBM。然而，随着人工智能服务器采购量的爆炸性增长超出预期，人们的兴趣也随之增长。

三星电子与SK海力士之间的NAND闪存堆叠竞争也在加剧。堆叠的越多，在同一面积内就越容易实现高容量。这就是为什么堆叠层数被认为是 NAND 的技术优势。

SK海力士11月21日宣布将量产全球最高321层1Tb（太比特）4D NAND闪存。继2023年6月量产238层4D NAND闪存后，下一代产品300层以上NAND也在全球首次成功量产。

SK海力士最近开始量产的321层NAND采用三层堆栈结构。

美国美光和日本铠侠也开始研发并量产200层以上的NAND。美国美光7月份发布的第9代3D NAND已知有276层。

随着堆叠竞争的激烈，预计400层NAND时代将在2025年开启，1000层NAND时代将在2027年开启。业界预计三星电子、SK海力士和美光都将在2025年发布400频段NAND。

根据 Trend Force 的数据，截至今年第二季度，三星电子在 NAND 市场份额中排名第一（36.9%），排名第二的是 SK Hynix 和 Solidigm（22.1%），排名第三的是 Kioxia（13.8%），排名第四的是美光（Micron）。（11.8%），其次是西部数据（10.5%），排名第五。