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晶圆制造的热处理工艺
2024年10月31日 09:00   浏览:89   来源:小萍子


热处理工艺主要指在高温下操作的制造程序,通常在高温炉中进行,包含氧化、扩散和退火等主要工艺。
氧化:是指将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂氛围中进行高温热处理,进而通过化学反应在硅片表面形成氧化膜的过程;

扩散:是指在高温下利用热扩散原理将杂质元素掺入硅衬底,使其按照特定浓度分布,从而改变硅材料的电学特性,主要用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、互连布线、二极管和晶体管等元器件,也用于元器件之间的隔离;

退火:是指加热离子注入后的硅片,修复离子注入所产生的晶格缺陷的过程。

目前用于氧化、扩散和退火等热处理工艺的设备主要为卧式炉、立式炉和快速升温炉三种。

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