SADP（Self-Aligned Double Patterning，自对准双重图形化）
SADP 技术通过两次沉积和刻蚀步骤，在不依赖更高级光刻设备的情况下，实现更小的图形尺寸。它可以提高芯片的集成度和性能。其优势是可以在不依赖更高分辨率光刻设备的情况下，实现更小的图形尺寸，从而提高芯片的集成度。相比于直接使用更先进的光刻设备，SADP 技术在一定程度上可以降低生产成本。可以与现有的半导体制造工艺较好地兼容，易于集成到生产线中。首先在衬底上沉积一层牺牲材料和一层硬掩模材料。
通过光刻工艺定义出初始的图形。
利用刻蚀工艺将图形转移到硬掩模上。
然后在硬掩模的侧壁上沉积侧墙材料，形成侧墙。
- 最后去除牺牲材料和硬掩模，留下的侧墙就构成了双倍密度的图形。
SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning，自对准四重图形化）SAQP 是在 SADP 的基础上进一步发展而来。其基本步骤与 SADP 类似，但增加了更多的沉积和刻蚀循环。其优势是能够实现比 SADP 更小的图形尺寸，满足更高性能芯片的制造需求。为半导体制造提供了一种在现有光刻技术基础上进一步提高图形分辨率的方法，有助于延续摩尔定律。通过精确控制每一步的沉积和刻蚀工艺，可以实现较高的图形精度和一致性。LELE和LFLE存在因两次光刻带来图案对准误差，而SADP技术依靠初始光刻图案位置确立最终图形位置，分辨率有所提升。LELE、LFLE、SADP均属于双重曝光，将分辨率提升一倍；SAQP是对SADP流程的步骤3至步骤5进行再一次重复实现四次重复曝光。
