涨价就特别多翻新货。对于存储来说，造假不容易，毕竟晶圆厂就那几家，造假不易，但翻新货拆机货老多了。
1. 常见作伪方式
把低规格颗粒重新激光打标，冒充高规格颗粒。比如低速率 DDR 冒充高速率，商业级冒充工业级，普通温度等级冒充宽温，低容量冒充高容量，老 date code 改成新 date code，小厂料冒充大厂料。对 eMMC 来说，也可能是低容量、低寿命、低版本器件，冒充高容量、高版本、高可靠性型号。这种不算高级，很容易发现，毕竟速率容量上板一测就出来了。DDR 和 eMMC 很多都是 BGA 封装，拆机后清洗、打磨、重新植球，再当新料卖。来源可能是旧手机、平板、机顶盒、路由器、服务器内存条、报废主板。这类料短测可能能过，但风险包括焊球不均、封装热损伤、内部隐裂、寿命已消耗、eMMC NAND 擦写次数已经很高。COC，Certificate of Conformance，符合性证书，也可能被伪造。常见问题是外箱、内袋、tray 标签不一致，lot code、date code 逻辑异常，原厂标签被覆盖，湿度卡和干燥剂不匹配，包装像原厂但条码无法追溯。一盘 tray 里混不同批次、不同速度等级、不同温度等级，甚至不同品牌。只抽最上面几颗，很容易漏掉。
2. 先看供应链
优先从原厂、原厂授权代理、大型授权分销商、可核验授权库存平台采购。灰色渠道、临时中间商、价格明显低于市场、交期异常短，都要提高风险等级。要让供应商提供：原厂或授权代理发票；COC；外箱、内袋、tray 标签照片；lot code；date code；tray 或 box ID；RoHS、REACH、MSDS 只能说明环保或材料信息，不能证明原装正品。
3. 包装和标签
收到货以后，不要急着上机。先核对外箱、内袋、tray 三层标签。看 part number 是否和 BOM，Bill of Materials，物料清单完全一致，容量、速率、封装、温度等级是否匹配，date code 和 lot code 是否合理，条码二维码是否能扫，标签是否二次覆盖，防潮袋是否原封，MSL，Moisture Sensitivity Level，湿敏等级信息是否完整。BGA 存储器对湿敏和回流很敏感。如果防潮袋破损、湿度卡超标、烘烤记录不清楚，即使是真料，也可能已经不适合直接上线。
4. 本体外观和激光码
DDR、eMMC 本体通常有 top marking，顶面标识。要用显微镜看：激光字体是否自然；字深是否一致；是否有打磨、喷黑、重标痕迹；logo 比例是否异常；封装边角是否磕碰；package 是否翘曲；BGA 焊球是否均匀；焊球颜色是否一致；是否有助焊剂残留；是否有二次植球痕迹。最好准备授权渠道 golden sample，对比字体、封装颜色、mark 位置、BGA 球形和底部状态。各家的打标的字体，深浅，边沿锐度，还是有些差异的，有经验的老行家能看出。外观检测对于DDR 翻新料来说是重要的手段，看封装边角，BGA 焊球植球痕迹。
5. eMMC 寄存器
eMMC里面有控制器，有很多寄存器可以读， 可以读取 CID，Card Identification，卡识别寄存器，CSD，Card Specific Data，卡特定数据，以及 EXT_CSD，Extended CSD，扩展寄存器，寿命寄存器等。可以核对：manufacturer ID；product name；product revision；serial number；manufacturing date；capacity；HS200/HS400 支持情况；boot partition；RPMB，Replay Protected Memory Block，重放保护内存块；life time estimation；pre-EOL information。这些信息要和外部丝印、标签、datasheet、BOM 对上。但要注意：读出来的 ID 不是绝对真。某些假料或控制器可以伪造识别信息。所以 ID 读取是强一致性检查，不是最终真伪证明。
6. DDR 板级压力测试 老化测试
离散 DDR 颗粒不像 eMMC 那样有完整控制器信息，通常要通过板级或专用测试平台验证。重点看：容量识别；速率等级；时序参数；读写训练；DQS/DQ margin；Vref margin；电压 margin；高低温读写；refresh/retention；ECC error count；IDD 电流。测试 pattern 可以用 walking 1、walking 0、checkerboard、address test、random pattern、PRBS、March test，以及长时间满容量写读校验。如果是 DDR 模组，还可以读 SPD，Serial Presence Detect，串行存在检测 EEPROM。但 SPD 可以被改写，只能辅助判断。
7. eMMC 全盘写读和掉电测试
eMMC 全盘写入；全盘读回校验；随机读写；连续擦写；高低温读写；HS200/HS400 模式稳定性；boot partition 测试；RPMB 测试；power loss test，异常掉电测试；长时间压力测试。很多低质 eMMC 短测能过，一做全盘写读、随机写、掉电恢复，就会出现坏块、掉速、数据损坏或重新上电无法识别。
8. 高风险批次要做实验室分析
如果物料金额大、应用关键、渠道可疑，建议做 X-ray、C-SAM、开封或切片。X-ray 可以看 die 数量、die stack、wire bond、BGA 空洞、二次植球痕迹。C-SAM，Scanning Acoustic Microscopy，超声扫描，可以看封装分层、die attach 分层、湿敏或热损伤。开封、切片、SEM/EDS 可以看 die marking、die 尺寸、内部结构、bond wire 材料、镀层成分，并和 golden sample 对比。
9. 判定建议
低风险：授权渠道，原包装完整。做包装核对、显微外观、ID 读取、基础功能和抽样压力测试。中风险：非一线代理，价格异常，包装拆过。做标签深度核查、BGA 外观、eMMC 全盘写读、DDR 高速压力、高低温抽测，并和 golden sample 对比。高风险：灰色渠道、散料、停产料、无法追溯。建议隔离批次，加大抽样，做 X-ray、C-SAM、切片、高温老化、异常掉电和第三方实验室分析。
