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晶圆切割是半导体封装工艺中的关键步骤之一。在晶圆制造（FAB）完成后，晶圆表面规律排布着数百至数万个芯片单元（Die），通过切割将每个Die分离，以便后续封装成最终的芯片（Chip）。切割质量直接影响芯片的机械完整性和电性能，因此选择合适的切割方法至关重要。
在切割之前，晶圆需要经过电性能测试，以识别出不合格的Die。测试设备通过探针接触每个Die的焊盘，记录其功能与参数。不良品会被标记（如打墨点或记录电子地图），以便后续切割和贴片工序自动避开这些位置，避免浪费封装材料。
为满足封装厚度要求及改善散热，晶圆背面通常需要进行机械研磨或化学机械抛光减薄。典型厚度：
8英寸（200 mm）晶圆原始厚度约为725 µm，减薄后可能降至100–200 µm。
12英寸（300 mm）晶圆原始厚度约为775 µm，减薄后可能更薄。
减薄后的晶圆厚度直接影响切割方法的选择。
目前工业界主要采用刀片切割、激光切割和等离子体切割三种方式，各有其适用范围及技术特点。
原理：利用高速旋转的金刚石刀片，沿晶圆切割道（Scribe Line）进行机械磨削，将晶圆分离成单个Die。切割过程中需使用去离子水冲洗，以带走热量和碎屑。
适用厚度：通常用于厚度大于100 µm的晶圆。
优点：
技术成熟，设备成本相对较低。
切割速度较快，适用于常规厚度晶圆的大批量生产。
缺点：
接触式加工，易产生机械应力，可能导致晶圆背面崩边（Backside Chipping）或钝化层剥落。
切割道宽度较大（通常50–100 µm），晶圆面积利用率较低。
对超薄晶圆或低介电常数（Low-k）脆性材料容易造成损伤。
原理：利用高能激光束对切割道材料进行烧蚀或改性。根据机制可分为：
烧蚀切割：激光直接气化材料，适用于较厚或对热影响不敏感的材料。
隐形切割（Stealth Dicing）：激光聚焦于晶圆内部，形成改性层，随后通过机械扩膜使芯片沿改性层分离。该方法适用于薄晶圆，损伤极小。
适用厚度：主要用于厚度低于100 µm的晶圆；隐形切割尤其适合50 µm以下的薄片。
优点：
非接触式加工，无机械应力，崩边少。
切割道可窄至10–20 µm，提高晶圆利用率。
适用于Low-k材料及复杂叠层结构。
缺点：
设备投资较高。
烧蚀切割可能产生热影响区或碎屑残留。
对工艺参数控制要求严格。
原理：基于深反应离子刻蚀（DRIE）技术，利用化学反应气体（如氟基气体）在等离子体状态下，沿切割道暴露区域选择性刻蚀硅材料，实现晶圆分离。该工艺可同时刻蚀整片晶圆的所有切割道。
适用厚度：适用于厚度低于30 µm的超薄晶圆，甚至可处理10 µm以下的晶圆。
优点：
完全无机械应力，无崩边，损伤极小。
可批量加工，切割效率高。
切割道宽度可进一步缩小（<10 µm），最大限度提高芯片数量。
适用于MEMS、化合物半导体等特殊材料。
缺点：
设备昂贵，工艺复杂度高。
需要光刻胶或硬掩模保护芯片区域，增加了工序和成本。
刻蚀选择性及侧壁形貌需精确控制。
在半导体行业，准确理解Die和Chip的区别对工艺描述至关重要。
Die（裸片/晶粒）：指晶圆上尚未封装的单个芯片单元。经过切割后，Die被分离出来，但未经过封装，不能直接用于电子设备。业内通常使用英文术语“Die”（复数形式为Dice），书面文档中有时使用中文“裸片”或“晶粒”。
Chip（芯片）：指将合格的Die经过封装（如引线键合、倒装焊、模塑等）后形成的成品。Chip具有电气连接引脚或锡球，可直接安装在印刷电路板上。随着先进封装技术的发展，一个Chip可以包含单个Die，也可由多个Die（如处理器、存储器）通过中介板（Interposer）或桥接互连集成在一个封装体内，即系统级封装（SiP，System in Package）。
晶圆切割是连接晶圆制造与封装的关键环节，切割方法的选择需综合考虑晶圆厚度、材料特性、成本及生产效率。随着晶圆不断减薄和先进封装对精度要求的提高，激光切割和等离子体切割的应用日益广泛，而传统刀片切割仍占据常规厚度晶圆的主流地位。理解各类切割技术的原理与适用场景，有助于优化封装工艺流程，提升产品良率与性能。
