据《日经新闻》报道，随着DRAM内存芯片的价格不断走低，三星、SK海力士、美光三大原厂都将在2025年内就停产DDR4。

要知道，时至今日，DDR3内存都仍有相当的使用空间，三大厂也是去年底才开始逐步停产。

DDR5虽然虽然已经成为绝对主流，但是DDR4远未到被彻底淘汰的地步，尤其是在不少行业领域，这么急着就停产，确实意外。

数据显示，2025年1月，DDR4 8Gb颗粒大宗交易批发价为1.75美元左右，4Gb颗粒则是1.3美元左右，都比上月跌了6％，而且是连续5个月下滑。

8Gb颗粒的降价幅度是2023年3月以来最大的，4Gb颗粒则创下了2023年4月以来的最大跌幅。

市调机构Omdia预测，DRAM内存颗粒的跌价持续将持续到今年下半年，DDR4、DDR5莫不如此，其中上半年预计跌幅10％，下半年再跌5％。

未来，DDR3、DDR4内存颗粒的订单必然会转向中国内地的长鑫存储，以及中国台湾的华邦、南亚等，夏季之后甚至可能出现短缺。

南亚还预测，DRAM行业最坏的时刻已经过去，预计今年上半年有望触底反弹。

就在去年底，长鑫存储低调量产并出货了DDR5颗粒，并且正在开发下一代15nm制程工艺，目标是今年内完成开发、明年下半年量产商业化。

另据韩国媒体报道，长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代DRAM技术，其并未按原计划为首款商用DDR5产品采用的17nm，而是直接采用了16nm制程技术。

下一代15nm制程技术也在现有制程基础上进行开发中，目标是在2025年内开发出该技术，并最快在2026年下半年就能达成商业化的目标。

长鑫存储此前主要生产采用17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等成熟产品，2024年11月，该公司首次发布了LPDDR5产品，并在2025年稍早成功实现了DDR5的商业化目标。

长鑫存储对此次DDR5采用的制程技术一直充满信心，如今事实证明，其下一代制程开发速度比原计划更快。

研究机构TechInsights表示，长鑫存储在完成17nm制程技术开发后，紧接着完成了16nm制程技术的开发，因此首款商用DDR5产品采用了16nm制程技术。

此外，长鑫存储原计划发展15nm制程技术，但受美国加强先进半导体制造设备出口限制影响，无法引进EUV先进制造设备，导致计划暂时放缓。

不过随着技术开发的成熟，预计长鑫存储利用现有设备也足以开发和量产下一代制程，毕竟美光的13nm DRAM制程技术也没有采用使用EUV。

随着生成式AI技术的发展，中国在内存市场的影响力持续攀升，未来增长潜力巨大。

调研机构Counterpoint Research近日报告显示，尽管仍面临技术瓶颈和美国法规的挑战，中国内存制造商长鑫存储（CXMT）正通过技术进步与市场拓展，逐步缩小与全球领先企业的差距。

Counterpoint Research表示，长鑫存储将在2024年占全球DRAM总产能13%，出货量占比约6%，营收占比约3.7%，并预计在2025年产能将接近美光。

目前长鑫存储产量和营收较低，主要原因是技术落后、良率低以及定价问题，但这一差距有望逐渐缩小，2024年，长鑫存储每片晶圆的产量比竞争者少42%，预计到2025年将缩小至 32%。

不过Counterpoint Research也指出，长鑫存储需要成功实现高介电金属闸极（HKMG）晶体管，以改善功耗和速度。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出，中国内存产业的崛起可能改变全球市场格局，尽管目前技术与良率方面仍存挑战，但随着生成式AI与电车等新兴应用带来的需求增长，中国有望在中低阶市场建立稳固地位。

此外，长鑫还在大力推进HBM高带宽内存，一方面提升一代HBM的产能，另一方面二代HBM2已经取得重大突破，正在给客户送样，预计年中可小规模量产。