1，热功率 P 变大——热更多、更集中

一个封装通常就装一颗芯片。这颗芯片的功耗就是这个封装要散的全部热量，几瓦到几十瓦，相对可控。而先进封装一个封装里装了一堆东西——一颗几百上千瓦的计算芯片（GPU/AI ASIC）+ 好几颗 HBM + 各种 chiplet。

把原本分散在整块板子上的多个热源，全部汇聚到了一个封装里。

总热功率是成倍甚至数量级的增加，但封装面积不可能成倍增加，结果是功率密度（W/cm²）急剧上升。

2，热阻 R_th 变大

如果只是热量变多，加大散热器还能应付。真正让先进封装散热"难得多"的，是热阻的结构性增大——热出不来。

3D 堆叠成好几层（HBM 是 8/12/16 层 DRAM，逻辑芯片也在往堆叠走），

中间层和底层的芯片被上下夹住了它们的热量要到达顶部散热器，

必须依次穿过上面每一层芯片、以及每一层之间的键合界面；每穿过一层，就叠加一份热阻。热阻是一路加上去的，堆得越高，底层芯片到散热器的总热阻越大，温度就越高。

先进封装里有多个热源，它们的散热路径互相交织、互相干扰，多个热源争抢同一条散热通道

3，温度不均匀

即使同一颗计算芯片，不同功能区块的活跃程度和发热差异极大，会出现局部热点。

因为散热设计必须按最热的那一点来，而不是按平均值来。

平均温度达标毫无意义，只要有一个热点超温，芯片就要降频或损坏；

而热点往往面积很小、位置分散、还随负载动态变化；

均匀的热流用均匀的散热方案就能解决；不均匀的热流需要针对性的、精细的、动态的热管理，难度完全不是一个级别.