正常情况下管子大部分是 TT 状态，而以上5种 corner 在 ±3σ 可以覆盖约99.73%的范围。对于管子而言我们最关心的是阈值电压 VT 和漏极电流 IDS，如果要使你的电路风险最低，那么就要有足够的 margin，也就是说所有的 PVT 仿真都得通过，这里最主要的就是 SS 通过，SS 能通过那么一般就没有问题。

Corner analysis 是 Monte Carlo 模拟的一种替代方法，通过综合考虑单个器件参数变化的影响，来确定器件或电路级别的性能变化。然后，将最坏情况和最佳情况的性能变化确定为 corner。例如，当阈值电压 VT、迁移率 μ 和氧化物电容 Cox 发生变化时，我们可以绘制 N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（NMOS）和 P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（PMOS）的速度曲线。

从工艺角度而言：针对掺杂情况，SS 的 VT 偏高，MOS 管开关速度变慢，IDS 偏小，但漏电也降低，FF 为 VTH偏低，MOS 管开关速度变快，IDS 偏大，但漏电也会增加。

从电压角度而言：S/T/F 对应的 VDD 电压可以是 1.1V-10%，1.1V，1.1V+10%，VDD 越大，MOS 管的 IDS 越大，MOS 管的速度也就越快，同时功耗也会随之增加。

从温度角度而言：S/T/F 分别对应 LT(低温)/RT(常温)/HT(高温)，如常见的-40℃/25℃/125℃。

SS（Slow - Slow）：指 NMOS 和 PMOS 速度均偏慢。芯片工作速度最慢，电路延迟增加，如微处理器指令执行时间变长，但因晶体管性能弱、开关动作慢，功耗相对较低。