痕量分析：含量 < 0.01%（即 < 100 ppm）。超痕量分析：含量在 ppt (10^-12) 甚至更低量级。半导体制造需要大量的化学试剂（酸、碱、溶剂、光刻胶）和特种气体。先进工艺要求化学品达到 PPT 级别。痕量分析用于检测其中的金属离子（如 Na, K, Fe, Cu, Al）。作用：防止劣质原材料进入供应系统，避免造成整条产线的交叉污染。晶圆在经过离子注入、刻蚀、灰化等高能量制程后，表面极易残留微量金属或有机物。VPD-ICP-MS 监测：通过蒸气相分解（VPD）技术收集晶圆表面的杂质，再利用 ICP-MS 进行检测。作用：如果发现铁超标，可能预示着某个机台的机械手臂发生了磨损；如果钠（Na）超标，可能暗示人员操作或手套存在破损。它能帮助工程师迅速定位故障源。通过分析清洗后晶圆表面的残留物浓度，验证 SC1（去除颗粒/有机物）和 SC2（去除金属）是否达到了工艺指标。清洗槽内的药液会随着洗涤次数增多而富集杂质。痕量分析可以帮助确定药液的最优更换周期，在保证良率的前提下降低成本。质谱分析法：ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法），SIMS（二次离子质谱法）。光谱分析法：AAS（原子吸收光谱法），ICP-OES / ICP-AES（电感耦合等离子体发射光谱法），TXRF（全反射 X 射线荧光光谱法）。
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