半导体制造中，晶圆经前道工序完成电路制造后，表面形成规则排布的裸片（Die）。这些裸片材料脆薄，无法直接应用于电子系统，必须通过封装工序进行保护与电气连接，方可成为可使用的芯片（Chip）。封装通常由专业封测厂完成，涉及晶圆减薄、切割、贴片、引线键合、塑封及成型等环节。

裸片封装主要基于以下技术需求：

• 环境隔离：防止湿气、污染物侵蚀内部电路；

• 热管理：有效导出芯片工作产生的热量；

• 电磁屏蔽：抑制电噪声及电磁辐射干扰。

标准封装工艺针对单个裸片实施。在特定应用场景下，多个裸片可通过中介层（Interposer）或系统级封装（SiP）技术集成于同一封装体内，实现复杂功能。

封装工艺流程详述如下：

一、 晶圆切割（Wafer Dicing）
前道工序完成的晶圆首先进行电性测试，标记不良品。随后根据晶圆厚度选择切割方式：

• 晶圆厚度大于100µm：采用机械刀片切割；

• 晶圆厚度介于30µm至100µm：采用激光切割；

• 晶圆厚度小于30µm：采用等离子体切割。

需明确技术术语：晶圆上待切割的单元称为“Die”（裸片），未经封装；经过封装并集成于系统的功能单元称为“Chip”（芯片）。

二、 贴片（Die Attach）
切割后的裸片通过贴片机（Die Bonder）拾取，精确放置于引线框架（Leadframe）的基岛上。引线框架预先涂布粘接材料（如环氧树脂或焊料），确保裸片机械固定及部分热传导路径。引线框架同时提供外部引脚阵列，作为芯片与外部电路的电接口。

三、 引线键合（Wire Bonding）
裸片固定后，需实现其焊盘（Pad）与引线框架内引脚的电连接。当前主流工艺为引线键合，采用金丝、铜丝或铝丝。键合过程包含以下步骤：

1.焊头穿出金属引线，通过电弧放电或热烧方式在引线末端形成金属球；

2.焊头移动至裸片焊盘位置，通过热压或超声能量使金属球与焊盘熔合；

3.焊头牵引金属丝至对应引脚焊盘，形成弧形连线；

4.在引脚焊盘处施加电流及压力，使金属丝与焊盘熔合后断开，焊头末端重新形成金属球，进入下一循环。

键合工艺需精确控制焊头运动轨迹、下压速度、金属球尺寸及键合时间，以兼顾连接可靠性及生产效率。

四、 塑封压模（Molding）
完成引线键合的引线框架置于注塑模具内。模具闭合后形成封闭型腔，覆盖裸片、引线及部分引脚。通过注塑工艺将环氧模塑树脂（EMC）填充型腔，经加热固化后形成保护外壳。该步骤完成后，芯片、内部引线及部分引脚框架被封装为一体。

五、 切筋成型（Trim & Form）
塑封后的连片结构需进行分离与整形：

• 切筋：通过冲切模具去除引线框架多余材料（如中筋、边带），使各芯片引脚独立；

• 成型：通过上下成型模具对引脚进行机械弯曲，使其达到规定的共面性及角度（如DIP封装引脚垂直弯曲）。至此，芯片封装工艺完成。

封装工艺的核心在于实现电信号引出、物理保护与热管理，同时满足不同应用场景对尺寸、可靠性及成本的综合要求。