Wafer 晶圆 晶圆是一种圆形硅芯片，也是生产集成电路所用的载体，可加工制成各种电路组件结构、具特定电性功能的集成电路产品。 晶圆的质量等级晶圆的质量等级通常根据其表面缺陷、晶体结构、电学性能等方面进行评估。常见的晶圆质量等级包括：1，Prime wafer：最高质量的晶圆，表面缺陷少，晶体结构完美，电学性能最佳。通常用于生产高性能、高可靠性的集成电路。2，Test wafer：经过测试的晶圆，其表面可能存在一些缺陷，但这些缺陷已经被标记出来，可以用于生产一些对缺陷要求不高的集成电路。3，Monitor wafer：检测生产过程的晶圆，其表面存在一些缺陷，但这些缺陷不会影响其电学性能，可以用于监测生产过程中的工艺参数。4，Rejected wafer：质量较差的晶圆，其表面存在较多的缺陷，晶体结构不完美，电学性能较差，通常不用于于生产集成电路。 晶圆的尺寸晶圆的大小通常以直径来表示，常见的尺寸有：1英寸（25mm）、2英寸（51mm）、3英寸（76mm）、4英寸（100mm）4.9英寸（125mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）12英寸（300mm）和17.7英寸（450mm) 硅晶圆尺寸最大为12寸， 化合物半导体晶圆尺寸最大为6英寸。硅晶圆衬底主流尺寸为12 英寸，约占全球硅晶圆产能65%，8寸也是常用的成熟制程晶圆，全球产能占比25%。GaAs衬底主流尺寸为4英寸及6英寸；SiC衬底主流供应尺寸为2英寸及4英寸；GaN 自支撑衬底以2英寸为主。 12英寸20nm以下先进制程性能强劲，主要用于移动设备、高性能计算等领域，包括智能手机主芯片、计算机CPU、GPU、高性能FPGA、ASIC等。 12英寸14nm-32nm先进制程应用于包括DRAM、NAND Flash存储芯片、中低端处理器芯片、影像处理器、数字电视机顶盒等应用。 12英寸45-90nm的成熟制程主要用于性能需求略低，对成本和生产效率要求高的领域，例如手机基带、WiFi、GPS、蓝牙、NFC、ZigBee、NOR Flash芯片、MCU等。 12英寸或8英寸90nm至150nm主要应用于MCU、指纹识别芯片、影像传感器、电源管理芯片、液晶驱动IC等。 8英寸180nm-250nm主要有非易失性存储如银行卡、 SIM卡等，350nm以上主要为MOSFET、IGBT 等功率器件。 硅晶圆供给厂商格局日厂把控（近15年来日本厂商始终占据硅晶圆50%以上市场份额）， 寡头格局稳定。前五大厂商（日本信越化学、日本SUMCO、中国台湾环球晶圆、德国Siltronic、韩国SK Siltron（原LG Siltron， 2017年被SK集团收购，仅供应韩国客户））占据全球 90%以上份额。 Die 晶粒 晶圆上的每个独立小块，都是一个晶圆颗粒体，切割后就成为一个晶粒 （die）。晶粒的外形通常为长方形或正方形，尺寸大小依不同功能需求、不同设计、不同制程而有所不同。 良品裸晶粒（KGD/KGD Die）KGD 的完整定义是指：经过重重检测，已确认具有与封装后产品同等之质量水平、可靠程度，并符合指定功能、规格标准的裸晶粒或未经封装的芯片。半导体厂商采用 KGD 颗粒后，再与自家产品封装成单一芯片，进行最终测试，最后出货给需要的业者。A Known Good Die (KGD) is defined as “a package type fully supported by suppliers to meet or exceed quality, reliability, and functional data sheet specifications, with non-standardized (die specific) but completely and electronically transferable mechanical specifications”。 KGD与一般晶体管最大的不同点在于，KGD属于未封装的裸晶粒，故能因应系统级封装（SiP）、多芯片封装（MCP）需求，与其他种类的裸晶堆栈使用，进行异质性整合；意即在同一封装中将芯片做3D立体堆栈，或者进行2.5D 配置封装，将逻辑芯片、内存、射频组件等不同性质的电子零件整合，实现系统级之高效能、低功耗、高集成度，同时维持成品的精巧体积。 Chip 芯片 晶圆经过切割、测试，再将完好且稳定的晶粒取下、封装，便成为我们熟悉的芯片 （chip），也就是集成电路 （IC）。集成电路发明后，技术也开始高速发展，最早期一个芯片只能塞进五个晶体管，发展到现代，可容纳数量已达数亿个晶体管。
