球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印 刷基板的正面装配 LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚 LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为40mm 见方。而且 BGA 不 用担 心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国 Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在 美国有 可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方 法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程 中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm， 引脚数从84 到196 左右(见 QFP)。
3、碰焊 PGA 封装 (butt joint pin grid array)
4、C-(ceramic) 封装
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于 ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封装 DSP 等的逻辑 LSI 电路。带有窗 口的 Cerquad用 于封装 EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于 封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。
7、CLCC 封装 (ceramic leaded chip carrier)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆 盖以确保可*性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如 TAB 和倒片 焊技术。
9、DFP(dual flat package)
陶瓷 DIP(含玻璃密封)的别称(见 DIP).
11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封 装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP(窄体型 DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为 DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip(见 cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是 TAB(自 动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm 厚的存储器 LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照 EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将 DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或 SOP(见 QFP 和 SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
17、Flip-chip
但如果基板的热膨胀系数与 LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装，全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口，提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology，最高2000MT/s MHz的传输带 宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology，MuTIOL 1G Technology。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
以下是一颗 AMD 的 QFP 封装的286处理器芯片。0.5mm 焊区中心距，208根 I/O 引脚，外形尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8，由此可见 QFP 比 DIP 的封装尺寸大大减小了。
PQFP 封装的主板声卡芯片
美国 Motorola 公司对 BGA 的别称(见 BGA)。
20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 (Ceramic Quad Flat-pack Package)
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的 SOP。
22、Pin Grid Array(Surface Mount Type)
23、JLCC 封装(J-leaded chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频 IC 用 封装，也称为陶瓷 QFN 或 QFN-C(见 QFN)。
25、LGA 封装(land grid array)
LGA 与 QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作 有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
日立金属推出2.9mm 见方3轴加速度传感器
薄型 QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的 QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP外形规格所用的名称。
28、L-QUAD 封装
装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM封装(multi-chip module)
MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
小形扁平封装。塑料 SOP 或 SSOP 的别称(见 SOP 和 SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP 封装 (metric quad flat package)
美国 Olin 公司开发的一种 QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可 容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。
QFI 的别称(见 QFI)，在开发初期多称为 MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
模压树脂密封凸点陈列载体。美国 Motorola 公司对模压树脂密封 BGA 采用的名称(见 BGA)。
35、P-(plastic) 封装
凸点陈列载体，BGA 的别称(见 BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基 板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷 PGA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心 距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～
装型 PGA)。
40、Piggy Back
1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品；
72为SDRAM；
第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；
第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；
第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；
第6个*代表是第几个版本的内核；
第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；
“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
7：7.5ns(133MHz)
8：8ns(125MHz)
7K：10ns(PC100 CL2&3)
7J：10ns(PC100 CL3)
10K：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)
2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品，
5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；
第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；
第3-5个*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref
64：64Mbit，8k Ref
65：64Mbit，4k Ref
128：128Mbit，8k Ref
129：128Mbit，4k Ref
256：256Mbit，16k Ref
257：256Mbit，8K Ref
第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；
第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；
第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；
第12，13个*代表封装形式；
最后几位为速度：
7：7ns(143MHz)
8：8ns(133MHz)
10P：10ns(PC100 CL2/3)
10S：10ns(Pc100 CL3)
10：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)
3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识；
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品；
48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；
M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
75：7.5ns(133MHz)
8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；
10：10ns(100MHz CL=3)；
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。
内存编号识别(三)
杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中
编号规则也不同。
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8
、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中
件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测
的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示
CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd
时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据
存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为
内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作
示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；
据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代
表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133
；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在
标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲
示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数
5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，
对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U
点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预
不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量
传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s
号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号
定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就
(1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，
工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K
129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg
代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的
（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功
Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，
10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和
是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中
不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是
停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，
的PC133现代内存。
（2）LGS［LG Semicon］
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编
66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，
）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns［
，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速
7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，
由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封
TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热
定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存
实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该
REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是
SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有
升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的
：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-
频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确
器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760
；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金
工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是
128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits
针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA
（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识
RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、
[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）
256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代
；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M
、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代
代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H
一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星
2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代
）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密
256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K
s]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电
针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz
7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz
64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压
RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示
、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL
BGA封装，速度800Mbps。
条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR
V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits
据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery
F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，
R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，
7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns
16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品
位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4
为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代
125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL
75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；
是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽
少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；
或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab
CL3］，10=100MHz［PC66规格］）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；
量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位
空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns
表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）
［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］， 260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或
：135MHZ，10=10NS［100MHz］。
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